第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。1、 导体导电和本征半导体导电的区别：导体导电只有一种载流子：自由电子导电半导体导电有两种载流子：自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现，数目相等，所带电荷极性不同，故运动方向相反。2、 本征半导体的导电性很差，但与环境温度密切相关。3、 杂质半导体（1）N 型半导体——掺入五价元素（2） P 型半导体——掺入三价元素4、 PN 结—— P 型半导体和N 型半导体的交界面5、 PN 结的单向导电性——外加电压在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层反向电压超过一定值时，就会反向击穿，称之为反向击穿电压正向偏置反向偏置6、 二极管的结构、特性及主要参数（1）P 区引出的电极——阳极；N 区引出的电极——阴极其中， Is 为反向电流， Uon 为开启电压，硅的开启电压——0.5V，导通电压为0.6~0.8V ，反向饱和电流<0.1μA ，锗的开启电压——0.1V，导通电压为0.1~0.3V ，反向饱和电流几十μA 。（2）主要参数1）最大整流电流I：最大正向平均电流2）最高反向工作电流U：允许外加的最大反向电流，通常为击穿电压U 的一半3）反向电流I：二极管未击穿时的反向电流，其值越小，二极管的单向导电性越好，对温度越敏感4）最高工作频率f：二极管工作的上限频率，超过此值二极管不能很好的体现单向导电性7、稳压二极管在反向击穿 时在一定的电流范围内（或在一定的功率耗损范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。（1）稳压管的伏安特性温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。二极管的特性对温度很敏感。（2）主要参数1）稳定电压U：规定电流下稳压管的反向击穿电压2）稳定电流I：稳压管工作在稳定状态时的参考电流。电流低于此值时稳压效果变坏，甚至根本不稳压，只要不超过稳压管的额定功率，电流越大稳压效果越好。【附加】限流电阻：由于稳压管的反向电流小于I 时不稳定，大于最大稳定电流时会因超过额定功率而烧坏，故要串联一个限流电阻保证稳压管正常工作。3）额定功率 P：等于稳定电压U 与最大稳定电流I 的乘积。 超过此值时稳压管会因为结温度过高而损坏。4）动态电阻r：在稳压区，端电压变化量与电流变化量之比。r 越小，说明电流变化时稳定电压的变化越小，稳压特性越好。5）温度系数α：表示电流不变时，温...
