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MOSFET参数及其测试方法VIP免费

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参数类别(物理特征): 1、漏源电压系列 1.1、V(BR)DSS:漏源击穿电压 1.2、dV(BR)DSS/dTJ:漏源击穿电压的温度系数 1.3、VSD:二极管正向(源漏)电压 1.4、dV/dt:二极管恢复电压上升速率 2、栅源电压系列 2.1、VGS(TH):开启电压 2.2、dVGS(TH)/dTJ:开启电压的温度系数 2.3、V(BR)GSS:漏源短路时栅源击穿电压 2.4、VGSR:反向栅源电压 3、其它电压系列 3.1、Vn:噪声电压 3.2、VGD:栅漏电压 3.3、Vsu :源衬底电压 3.4、Vdu :漏衬底电压 3.5、Vgu :栅衬底电压 二、电流类参数 1、漏源电流系列 1.1、ID:最大 DS 电流 1.2、IDM:最大单脉冲 DS 电流 1.3、IAR:最大雪崩电流 1.4、IS:最大连续续流电流 1.5、ISM:最大单脉冲续流电流 1.6、IDSS:漏源漏电流 2、栅极电流系列 2.1、IGSS:栅极驱动(漏)电流 2.2、IGM:栅极脉冲电流 2.3、IGP:栅极峰值电流 三、电荷类参数 1、Qg:栅极总充电电量 2、Qgs:栅源充电电量 3、Qgd:栅漏充电电量 4、Qrr:反向恢复充电电量 5、Ciss:输入电容=Cgs+Cgd 6、Coss:输出电容=Cds+Cgd 7、Crss:反向传输电容=Cgd 四、时间类参数 1、tr:漏源电流上升时间 2、tf:漏源电流下降时间 3、td-on:漏源导通延时时间 4、td-off:漏源关断延时时间 5、trr:反向恢复时间 五、能量类参数 1、PD:最大耗散功率 2、dPD/dTJ:最大耗散功率温度系数 3、EAR:重复雪崩能量 4、EAS:单脉冲雪崩能量 六、温度类参数 1、RJC:结到封装的热阻 2、RCS:封装到散热片的热阻 3、RJA:结到环境的热阻 4、dV(BR)DSS/dTJ:漏源击穿电压的温度系数 5、dVGS(TH)/dTJ:开启电压的温度系数 七、等效参数 1、RDSON:导通电阻 2、Gfs:跨导=dID/dVGS 3、LD:漏极引线电感 4、LS:源极引线电感 参数详解 1.1、V(BR)DSS:漏源击穿电压(也称BVDSS、VDSS) 定义:在特定的温度和栅源短接情况下,流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。 属性: V(BR)DSS 是正温度系数,温度高时,漏源击穿电压比温度低时要大。 通常以25℃时的漏源击穿电压为标称电压。 实际击穿电压通常略大于标称电压。 测试线路: 图 1 测试方法: 1、按规范选取 VCC2 值、设定栅极连接方式、连接测量仪表、调整 ID。 2、室温下夹取被测管放入测试座,监控 ID,读取 VDSS。 3、连续调节 ID,并同步记录 VDSS,即可测得 VDSS_ID ...

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