场效应管的分类 场效应管（FET）是一种电压控制电流器件。其特点是输入电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小。因而特别使用于高灵敏度、低噪声电路中 。 场效应管的种类很多，按结构可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）.结型场效应管又分为 N 沟道和P 沟道两种。绝缘栅场效应管主要指金属--氧化物--半导体场效应管（MOS 管） 。MOS 管又分为“耗尽型”和“增强型”两种，而每一种又分为 N 沟道和P 沟道 。 结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流的，输入电阻（105～1015）之间； 绝缘栅型是利用感应电荷的多少来控制导电沟道的宽窄从而控制电流的大小，其输入阻抗很高(栅极与其它电极互相绝缘)。它在硅片上的集成度高，因此在大规模集成电路中占有极其重要的地位 。 场效应管的型号命名方法 现行场效应管有两种命名方法。 第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母 J 代表结型场效应管，O 代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D 是P 型硅，反型层是N 沟道；C 是N 型硅 P 沟道。例如,3DJ6D 是结型 N 沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型 N 沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS× × #，CS 代表场效应管，× × 以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如 CS14A、CS45G 等。 1.增强型 NMOS 管 s：Sou rce 源极，d：Drain 漏极，g：Gate 栅极，B：Base 衬底，在 P 型衬底扩散上 2 个 N 区，P 型表面加 SiO2 绝缘层，在 N 区加铝线引出电极。 2.增强型 PMOS 管 在N 型衬底上扩散上2 个P 区，P 型表面加SiO2 绝缘层，在二个P 区加铝线引出电极。PMOS 与 NMOS管的工作原理完全相同，只是电流和电压方向不同。 3.增强型NMOS 管的工作原理 正常工作时外加电源电压的配置： (1)VGS=0, VDS=0：漏源间是两个背靠背串联的 PN 结，所以 d-s 间不可能有电流流过，即 iD≈0。 (2)当 VGS＞0，VDS=0 时：d-s 之间便开始形成导电沟道。 开始形成导电沟道所需的最小电压称为开启电压 VGS(th)(习惯上常表示为 VT)。 沟道形成过程作如下解释：此时，在栅极与衬底之间产生一个垂直电场(方向为由栅极指向衬底)，它使漏-源之间的 P 型硅表面感应出电子层(反型层)使两个N 区沟通，形成 N 型导电沟道。如果，此时再加上VDS 电压，将会产生漏极电流iD。当 VGS＝0 时没有导电沟道，而...
