下载后可任意编辑试谈三 D 封装通孔集成工艺整装待发模板12024 年 4 月 19 日下载后可任意编辑3D 封装通孔集成工艺整装待发[消费电子] 发布时间: -12-06 18:45:28消费类电子产品持续向更小、 便携化和多功能的趋势进展。如今大多数便携式产品已具有语音通讯、 互联网、 电子邮件、 视频、 MP3、 GPS 等功能。这些产品的设计人员所面临的挑战是如何能继续保持这一进展势头, 使得新一代的器件能比前一代产品的尺寸更小、 同时拥有更多、 更强的功能。半导体业界正在这一领域努力, 希望在进一步提高器件功能的同时, 获得更小尺寸的器件封装结构, 同时又能维持、 甚至降低器件的整体成本。3D 封装的驱动力以下三个关键要素正成为推动消费类电子产品设计改进的主导因素, 它们同样也在驱动 3D 封装技术的进展。22024 年 4 月 19 日下载后可任意编辑更多的功能——这包括经过更短距离的互连使器件具有更快的工作速度、 低的功耗, 以及能进行各种不同类型芯片的集成( 如CMOS、 MEMS、 Flash、 光器件等) 更小的尺寸——能够在给定封装面积和体积的条件下增加芯片的封装密度更低的成本——三维集成与传统方法在成本上的比较是最近讨论的热点。然而, 人们普遍认为实现三维集成的成本要比对芯片进行持续缩小的工程成本要低[1]。促进 3D 封装进展的一个原因是 3D 封装中各元件间在互连上的优势。在用芯片并列放置的封装方式时, 当前所用的互连技术是在焊区间使用引线键合的方法。然而随着芯片尺寸的缩小, 引线键合方法受到了空间的限制, 这主要是由于键合引线数量和密度, 或是重叠式芯片制造而引起的。而键合引线的密度也会导致传输上的干扰和电子寄生。作为引线键合的一种替代技术, 形成穿透硅圆片的通孔结构能够大大缩短互连的距离, 从而消除了芯片叠层在数量上的限制。这种采纳直接互连的方法能提高器件的工作速度, 该技术方法一般被称作为硅片贯穿孔( TSV) 技术, 使得芯片的三维叠层能在更广的领域中得到应用。先通孔或后通孔硅片贯穿孔 TSV 对于 3D-IC 的制造工艺而言至关重要。俗称的”先通孔”技术是在最初的硅衬底上先形成通孔, 即在前道制造工艺的有源层形成前就先形成通孔。在后道工艺所有器件的工艺完32024 年 4 月 19 日下载后可任意编辑成之后再制作通孔, 就被称为”后通孔”。后通孔 TSV 还能够细分为两类: 一是在后道工艺完成之后就直接在圆片上制作 TSV, 或者是在...
