测试部分 1.1 光电导测量仪 名称：WCT 光电导测量工具 仪器包含部分：个人计算机、少子寿命测试台、电池组 Qpaq-X 的电源 碘酒钝化 原始硅片去除损伤层,并按生产线方式清洗或在通风橱中按 RCA2（纯水 H2O：H2O2：HCl=5：1：1，沸腾后保持 6 分钟，纯水冲洗 10 分钟）-RCA1（纯水 H2O：H2O2：NH4OH=5：1：1，沸腾后保持 6 分钟，纯水冲洗 6 分钟）-RCA2（纯水 H2O：H2O2：HCl=5：1：1，沸腾后保持 6 分钟，纯水冲洗 6 分钟）清洗； 在通风橱中用纯水 H2O：HF=10：1 的溶液浸泡清洗好的硅片 1 分钟，纯水冲洗 10 分钟； 用氮气枪吹干硅片； 将吹干的硅片放入大小合适的塑料封口袋中，滴入适量的碘酒（0.08mol/l），使硅片上下表面均匀布满碘酒，封好塑料封口袋，不要使碘酒溢出； 将塑料封口袋和硅片一起置于少子寿命测试台上，进行测量； 测量结束后，在通风橱中用纯水打开塑料封口袋冲洗硅片三次，取出硅片放入承片盒中再用纯水冲洗 10 分钟，用氮气枪吹干硅片。 少子寿命测量方法 对测试滤片进行选择为 1 号滤光片和厚的滤光片. 先进行校准，取电阻率大于 100 的 F 校准标准硅片放置于基台上，点开 Lifetime 的 Excl文件夹. 在 Cailration 目录下进行校准，调整基台下面的旋钮，使蓝线与 0.1 标准线重合. 将碘酒钝化的硅片放置于测试台面上，点文件中的 Measure wafer 键，对图形中的蓝点进行中间修正后读值. 1.2 非接触式少子寿命测量仪器（SEMILAB） 名称：WCT 光电导测量工具 仪器包含部分：个人计算机、测试基台 将需要测试的不同硅片放置于测试台面上 使用软件为 UPCD，测试多为扩散后的硅片. 点击 ASET 键，LT 为测试显示值。 少子寿命数值规定如下： FZ 片子大于 100 原始硅片 单晶 10um 以上 多晶 5um 以上（原则上要求要大于 10um 正常中需要算大于 10um以上的所占比率） 扩散后硅片 单晶 10um 左右（原则上要大于 10um） 多晶 7um 左右 （原则上要大于 10um） 影响少子寿命的内容 杂质类型即深能级杂质如金属杂质等等严重影响少子寿命 硅片表面态的状况，即高温处理前硅片的表面状况直接影响少子寿命 杂质浓度对少子寿命的影响，重掺杂状况下会引起晶格的畸变，复合加剧影响少子寿命 1.3 SUN-Voc 检测方法 对电池片的选择要求， Uoc Isc Rs Rsh FF NCell Lreve2 0.604 7.688 2.22 98.60 78.23 0.1498 2.199 0....
