2 扩散制结 制结过程是在一块基体材料上生成导电类型不同的扩散层，它和制结前的表面处理均是电池制造过程中的关键工序
制结方法有热扩散，离子注入，外延，激光及高频电注入法等
本节主要介绍热扩散法
扩散是物质分子或原子运动引起的一种自然现象，热扩散制p—n 结法为用加热方法使V 族杂质掺入P 型或Ⅲ族杂质掺入n型硅
硅太阳电池中最常用的V 族杂质元素为磷，Ⅲ族杂质元素为硼
硅太阳电池所用的主要热扩散方法有涂布源扩散，液态源扩散，固态源扩散等
2 液态源扩散 液态源扩散有三氯氧磷液态源扩散和硼的液态源扩散，它是通过气体携带法将杂质带入扩散炉内实现扩散
其原理如图 3
6： 图 3
6 三氯氧磷扩散装置示意图 对于 p 型10cm 硅片，三氯氧磷扩散过程举例如下： （1）将扩散炉预先升温至扩散温度（850～900C）
先通入大流量的氮气（500～1000ml/min），驱除管道内气体
如果是新处理的石英管，还应接着通源，即通小流量氮气，（40～100ml/min）和氧气（30～90ml/min），使石英壁吸收饱和
（2）取出经过表面准备的硅片，装入石英舟，推入恒温区，在大流量氮气（500～1000ml/min）保护下预热5 分钟
（3）调小流量，氮气 40～100ml/min、氧气流量 30～90ml/min
通源时间 10～15min
（4）失源，继续通大流量的氮气５ min，以赶走残存在管道内的源蒸气
（5）把石英舟拉至炉口降温５分钟，取出扩散好的硅片，硼液态源扩散时，其扩散装置与三氯氧磷扩散装置相同，但不通氧气
3 固态氮化硼源扩散 固态氮化硼扩散通常采用片状氮化硼作源，在氮气保护下进行扩散
片状氮化硼可用高纯氮化硼棒切割成和硅片大小一样的薄片，也可用粉状氮化硼冲压成片
扩散前，氮化硼片预先在扩散温度下通氧３０分钟使氮化硼表面
