《纳 M材料与技术》期末复习第一章：纳 M科学技术的发展历史——1、 1959 年 12 月，美国物理学家费曼在加州理工学院召开的美物理学会会议上作了一次富有想象力的演说“最底层大有发展空间”，费曼的幻想点燃纳M科技之火。2、 1981 年比尼格与罗勒尔发明了看得见原子的扫描隧道显微镜（ STM）。3、 1989 年在美国加州的IBM 实验内，依格勒博士采用低温、超高真空条件下的STM操纵着一个个氙原子，实现了人类另一个幻想——直接操纵单个原子。4、 1991 年，日本的饭岛澄男教授在电弧法制备C60时，发现氩气直流电弧放电后的阴极碳棒上发现了管状结构的碳原子簇，直径约几纳M，长约几微M碳纳 M管。5、 1990 年在美国东海岸的巴尔的摩召开第二届国际STM会议的期间，召开了第一届国际纳M科学技术会议，该会议标志纳M科学技术的诞生。第二章：1、纳 M材料的分类：按功能分为半导体纳M材料、光敏型纳M材料、增强型纳 M材料和磁性纳M材料；按属性分为金属纳M材料、氧化物纳M材料、硫化物纳 M材料、碳（硅）化合物纳M材料、氮（磷）等化合物纳 M材料、含氧酸盐纳M材料、复合纳M材料。按形态分为纳M点、纳 M线、纳 M纤维和纳 M块状材料。2、纳 M材料的四个基本效应：小尺寸效应、量子尺寸效应、表面效应、宏观量子隧道效应。1）量子尺寸效应与纳M材料性质a. 导电的金属在制成超微粒子时就可以变成半导体或绝缘体；绝缘体氧化物相反。b. 磁化率的大小与颗粒中电子是奇数还是偶数有关。c. 比热亦会发生反常变化，与颗粒中电子是奇数还是偶数有关 。d. 光谱线会产生向短波长方向的移动。e. 催化活性与原子数目有奇数的联系，多一个原子活性高,少一个原子活性很低。2) 小尺寸效应的主要影响：a. 金属纳 M相材料的电阻增大与临界尺寸现象（电子平均自由程）动量b. 宽频带强吸收性质（光波波长）c. 激子增强吸收现象（激子半径）d. 磁有序态向磁无序态的转变（超顺磁性）（各向异性能）e. 超导相向正常相的转变（超导相干长度）f. 磁性纳 M颗粒的高矫顽力（单畴临界尺寸）3) 表面效应及其影响：表面化学反应活性( 可参与反应 ) 、催化活性、纳M材料的（不）稳定性、铁磁质的居里温度降低、熔点降低、烧结温度降低、晶化温度降低、纳M材料的超塑性和超延展性、介电材料的高介电常数（界面极化）、吸收光谱的红移现象。3、纳 M材料的特殊的光学性质及其应用：光学性质：光 谱迁移性、光吸收性、发光性、光催化性、和非...
