第 一 部 分 ： 功 率 电 子 器 件 第 一 节 ： 功 率 电 子 器 件 及 其 应 用 要 求 功 率 电 子 器 件 大 量 被 应 用 于 电 源 、 伺 服 驱 动 、 变 频 器 、 电 机 保 护 器 等 功 率 电 子 设 备 。这 些 设 备 都 是 自 动 化 系 统 中 必 不 可 少 的 ， 因 此 ， 我 们 了 解 它 们 是 必 要 的 。 近 年 来 ， 随 着 应 用 日 益 高 速 发 展 的 需 求 ， 推 动 了 功 率 电 子 器 件 的 制 造 工 艺 的 研 究 和发 展 ， 功 率 电 子 器 件 有 了 飞 跃 性 的 进 步 。 器 件 的 类 型 朝 多 元 化 发 展 ， 性 能 也 越 来 越 改 善 。大 致 来 讲 ， 功 率 器 件 的 发 展 ， 体 现 在 如 下 方 面 ： 1． 器 件 能 够 快 速 恢 复 ， 以 满 足 越 来 越 高 的 速 度 需 要 。 以 开 关 电 源 为 例 ， 采 用 双 极 型晶 体 管 时 ， 速 度 可 以 到 几 十 千 赫 ；使用 MOSFET 和 IGBT， 可 以 到 几 百千 赫 ；而采 用了 谐振技术的 开 关 电 源 ， 则可 以 达到 兆赫 以 上。 2． 通态压降（正向压降）降低。 这 可 以 减少 器 件 损耗， 有 利于 提高 速 度 ， 减小器 件体 积。 3． 电 流控制 能 力增大 。 电 流能 力的 增大 和 速 度 的 提高 是 一 对矛盾， 目前最大 电 流控制 能 力， 特别是 在 电 力设 备 方 面 ， 还没有 器 件 能 完全替代可 控硅。 4． 额定电 压： 耐压高 。 耐压和 电 流都 是 体 现 驱 动 能 力的 重要 参数， 特别对电 力系 统 ，这 显得非常重要 。 5． 温度 与功 耗。 这 是 一 个综合性 的 参数， 它 制 约了 电 流能 力、 开 关 速 度 等 能 力的 提高 。 目前有 两个方 向解 决这 个问题， 一 是 继续提高 功 率 器 件 的 品质， 二是 改 进 控制 技术来 降低器 件 功 耗， 比如 谐振式开 关 电 源 。 总体 来 讲 ， 从耐压、 电 流能 力看， 可 控硅目前仍然是 最高 的 ， 在 某些 特定场合， 仍然要 使用 大 电 流、 高 耐压的 可 控硅。 ...
