1晶体生产工艺□直拉法晶体生长概念及流程□导流筒悬挂方式□单晶拉制□中途取晶操作□常见异常□练习题□直拉法晶体生长概念及流程□导流筒悬挂方式□单晶拉制□中途取晶操作□常见异常□练习题直拉法制备硅单晶过程：把多晶硅放入石英坩埚，在单晶炉内利用加热器将硅原料熔化；然后用一根设定晶向的籽晶插入熔体表面，待籽晶与熔体充分熔接后，慢慢向上提拉籽晶，晶体在籽晶下端生长。籽晶轴（钢缆）提升装置籽晶和夹头加热器石英坩埚一、直拉法晶体生长概念及流程熔硅晶体晶体旋转（逆时针）坩埚旋转（顺时针）1、生长概念1、生长概念2装料抽空化料稳温引晶放肩引晶放肩等径收尾转肩检漏压力化粘渣转肩等径停炉收尾拆清炉一、直拉法晶体生长概念及流程2、生长流程2、生长流程3二、导流筒悬挂方式化料1化料2化料31、导流筒上挂式1、导流筒上挂式4化料1化料2化料3二、导流筒悬挂方式2、导流筒下放式2、导流筒下放式5在主界面选择【工艺选择】按钮，系统显示自动工艺选择画面；在自动工艺界面选择【开始自动拉晶】按钮，系统将显示下面的界面；1、抽真空1、抽真空三、单晶拉制6抽真空确认点检根据界面提示检查无误按确定按钮，系统显示检查2画面；根据界面提示检查无误按确定按钮，系统跳转至抽真空工序界面并运行抽空工序；三、单晶拉制7•系统进入抽真空工序，程序将依次打开主真空球阀、智能蝶阀，整个抽空工序将依据SOP工艺参数自动执行；•过程中根据工艺设定自动关闭或打开主真空球阀、氩气阀连续冲洗炉子若干分钟，然后将炉内压力抽至极限，这样可有效排除炉内空气、水气，获得较洁净的晶体生长环境。三、单晶拉制8检漏就是通过测量一定时间内炉内压力的增加速度来确定炉体是否漏气（10min小于30mtor）。如果炉体密封不严就会导致外部空气进入炉体，从而使炉内环境恶化，此时高温熔硅极易和空气中的多种成分发生反应。从而无法生长单晶。在自动检漏时，程序会自动关闭所有气动阀门使炉体处于密闭状态。操作者需要注意的是：在检漏氩气屏幕被屏蔽，不可操作。当信息栏提示抽真空完成蜂鸣器报警时，在抽真空工序界面按【工艺选择】按钮进入工序选择界面；2、检漏2、检漏三、单晶拉制9选择【检漏】按钮确定后系统跳转至检漏工序界面并运行检漏工序；）程序自动关闭主真空球阀并延时30秒后开始检测泄漏速率，两分钟后将泄漏率显示在工艺参数切换显示区内。注意：若泄漏过大（大于50mTorr/hr），可手动充几次氩气后再检漏；因存在漏点造成漏率超标的，查补漏点后应重新执行抽真空/检漏工序。注意：可以让控制系统在完成抽真空后自动跳转到检漏，而不用人为切换。设置方法如下：按【系统维护】按钮再按【工艺设置】按钮进入工艺设“”√√置界面，在自动进入检漏工艺前打；如果没有打，则在抽真空完成之后“”系统会报警提示抽真空完成，这时就需要手动在自动工艺（返回）界面下“”手动切入检漏步骤。其他的自动步骤都是如此。三、单晶拉制10检漏漏率符合工艺要求后，在检漏工序界面按【工艺选择】按钮进入工序选择界面；选择【压力化】按钮确定后系统跳转至压力化工序界面并运行压力化工序；程序自动打开上氩气阀按工艺设定氩气流量往炉内充入氩气，当炉内压力达到20Torr“”自动打开主真空球阀，自动开压力控制闭环并在操作界面加色显示，通过对节流阀开度的自动调节将炉压控制在工艺设定值，压力化完成。3、压力化3、压力化三、单晶拉制11“”按加热器开按钮打开加热电源，在压力化工序界面按【工艺选择】按钮进入工序选择界面；选择【熔料】按钮确定后系统跳转至化料工序界面并运行熔料工序；注：如果在选择熔料之前没开启加热器，此时系统报警要求操作者打开加热器。熔料功率、埚位、埚转速度等参数由设定的SOP工艺表自动控制；若出现水流量低报警，系统会在30秒内自动关闭加热器电源，此时需迅速检查原因。4、熔料4、熔料三、单晶拉制12由于加热器在中部的位置温度最高，导致在中部的硅料会首先熔化，熔化后的硅料会沿着坩埚壁流到温度比较低的坩埚底部并二次结晶，结晶后的硅料体积膨胀（液态硅的密度小于固态硅），如果不及时升埚位使坩埚底部进入高温区，二次结晶的硅料...
