晶振不起振的原因 一，晶振失振的缘由； 1.在检漏工序中，就是在酒精加压的环境下，晶体容易产生碰壳现象，即振动时芯片跟外壳容易相碰，从而晶体容易发生时振时不振或停振； 2. 在压封时，晶体内部要求抽真空充氮气，如果发生压封不良，即晶体的密封性不好时，在酒精加压的条件下，其表现为漏气，称之为双漏，也会导致停振； 3. 由于芯片本身的厚度很薄，当激励功率过大时，会使内部石英芯片破损，导致停振； 4. 有功负载会降低 Q 值（即品质因素），从而使晶体的稳定性下降，容易受周边有源组件影响，处于不稳定状态，出现时振时不振现象； 5. 由于晶体在剪脚和焊锡的时候容易产生机械应力和热应力，而焊锡温度过高和作用时间太长都会影响到晶体，容易导致晶体处于临界状态，以至出现时振时不振现象，甚至停振； 6.在焊锡时，当锡丝透过线路板上小孔渗过，导致引脚跟外壳连接在一块，或是晶体在制造过程中，基座上引脚的锡点和外壳相连接发生单漏，都会造成短路，从而引起停振； 7.当晶体频率发生频率漂移，且超出晶体频率偏差范围过多时，以至于捕捉不到晶体的中心频率，从而导致芯片不起振 8，未用超生波清洗焊好的晶振 9， P CB 板布线错误； 10， 单片机质量有问题； 11, 晶振质量有问题； 12，负载电容或匹配电容与晶振不匹配或者电容质量有问题； 13. P CB 板受潮，导致阻抗失配而不能起振； 14.晶振电路的走线过长； 15.晶振两脚之间有走线； 16.外围电路的影响。 二，解决方案，建议按如下方法逐个排除故障； (1) 排除电路错误的可能性，因此你可以用相应型号单片机的推荐电路进行比较。 (2) 排除外围元件不良的可能性，因为外围零件无非为电阻，电容，你很容易鉴别是否为良品。 (3) 排除晶振为停振品的可能性，因为你不会只试了一二个晶振。 (4) 试着改换晶体两端的电容，也许晶振就能起振了，电容的大小请参考晶振的使用说明。 (5) 在 P CB 布线时晶振电路的走线应尽量短且尽可能靠近 IC，杜绝在晶振两脚间走线。 三， 有关晶振不起振问题的讨论； 现在我们的问题是晶振与串联接地的晶振不匹配的原因。单片机的功率决定了晶振的功率 P1 而电容的大小又取材于单片机的单片机功率。选择合适又要于晶振比较匹配才是合适的。这里请注意 P1 于电容的匹配符合于 p1=c1*c2/c1+c2+p2【这里的 P2 是一般是 3~5p 的一个值】选择的电容的值越大单片机的耗电能力也就越强。而且易造成不...
