填空 20’简答 20’判断 10’综合 50’第一单元1.一定温度，杂质在晶体中具有最大平衡浓度，这一平衡浓度就称为什么？固溶度2.按制备时有无使用坩埚分为两类，有坩埚分为？无坩埚分为？（P24）有坩埚：直拉法、磁控直拉法无坩埚：悬浮区熔法3.外延工艺按方法可分为哪些？（P37）气相外延、液相外延、固相外延和分子束外延4.Wafer的中文含义是什么？目前常用的材料有哪两种？晶圆；硅和锗5.自掺杂效应与互扩散效应（P47-48）左图：自掺杂效应是指高温外延时，高掺杂衬底的杂质反扩散进入气相边界层，又从边界层扩散掺入外延层的现象。自掺杂效应是气相外延的本征效应，不可能完全避免。自掺杂效应的影响：1 改变外延层和衬底杂质浓度及分布○2 对 p/n 或 n/p 硅外延，改变 pn 结位置○右图：互（外）扩散效应：指高温外延时，衬底中的杂质与外延层中的杂质互相扩散，引起衬底与外延层界面附近的杂质浓度缓慢变化的现象。不是本征效应，是杂质的固相扩散带来（低温减小、消失）6.什么是外延层？为什么在硅片上使用外延层？1)在某种情况下，需要硅片有非常纯的与衬底有相同晶体结构的硅表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制，通过外延技术在硅表面沉积一个新的满足上述要求的晶体膜层，该膜层称为外延层。2)在硅片上使用外延层的原因是外延层在优化 pn 结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提高了器件速度。外延在 CMOS 集成电路中变得重要起来，因为随着器件尺寸不断缩小它将闩锁效应降到最低。外延层通常是没有玷污的。7.常用的半导体材料为何选择硅？1）硅的丰裕度。硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的 25%；经合理加工，硅能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度而消耗更低的成本。2）更高的熔化温度允许更宽的工艺容限。硅 1412℃>锗 937℃。3）更宽的工作温度。用硅制造的半导体件可以用于比锗 更宽的温度范围，增加了半导体的应用范围和可靠性。4）氧化硅的自然生成。氧化硅是一种高质量、稳定的电绝缘材料，而且能充当优质的化学阻挡层以保护硅不受外部沾污；氧化硅具有与硅类似的机械特性，允许高温工艺而不会产生过度的硅片翘曲。8.液相掺杂浓度计算（P29）第二单元1.二氧化硅结构中的氧原子可分为哪几种？（P66）桥键氧原子和非桥键氧原子2.SiO2 的掩蔽作用硅衬底上的 SiO2 作掩膜要求杂质在 SiO2 层中的扩散深度 Xj 小于 SiO2 本身的厚度 XSiO2xSiO2xj xjx'jDSiO2DSi DS...
