APD光电二极管综合实验

APD 光电二极管实验仪实验指导书 - 1 - APD 光电二极管综合实验仪 GCAPD-B 实 验 指 导 书 (V1.0) 武汉光驰科技有限公司 WUHAN GUANGCHI TECHNOLOGY CO.,LTD APD 光电二极管实验仪实验指导书 - 2 - 目 录 第一章 APD光电二极管综合实验仪说明 ................ - 3 - 1、电子电路部分结构分布 ......................... - 3 - 2、光通路组件 .................................. - 4 - 第二章 APD光电二极管特性测试 .................... - 5 - 1、APD光电二极管暗电流测试 ..................... - 7 - 2、APD光电二极管光电流测试 ..................... - 8 - 3、APD光电二极管伏安特性 ....................... - 8 - 4、APD光电二极管雪崩电压测试 ................... - 9 - 5、APD光电二极管光照特性 ....................... - 9 - 6、APD光电二极管时间响应特性测试 .............. - 10 - 7、APD光电二极管光谱特性测试 .................. - 10 - APD 光电二极管实验仪实验指导书 - 3 - 第一章 APD光电二极管综合实验仪说明 一、产品介绍 雪崩光电二极管的特点是高速响应性和放大功能。雪崩光电二极管(APD)的基片材料可采用硅和锗等材料。其结构是在n 型基片上制作p 层，然后在配置上p+层。一般上部的电极制作成环状，这是考虑到能获得稳定的“雪崩”效应。外来的光线通过薄的p+层，然后被 p 层吸收，从而产生了电子和空穴。由于在p 层上存在着 105V/cm 的电场，因此位于价带的电子被冲击离子化后，产生雪崩倍增效应，电子和空穴不断产生。 这种元件可以用作0.8m 范围的光纤通信的受光装置和光磁盘的受光期间还，能够有效地处理微弱光线的问题，当量子效率为 68%以上时，可得到大于 300MHz的高速响应。工作电压小于 180V 时，则暗电流仅为 0.3nA。采用锗的APD 所使用的波长范围接近于1m,由于它专用于光纤通信，所以其响应速度高达 600MHz 以上，偏压 30V 以下时，可获得高于 55%的量子效率。暗电流很大，为 0.5uA 左右。GCAPD-B 型APD 雪崩光电二极管综合实验仪主要研究 APD 光电二极管的基本特性，如光电流、暗电流、光照特性、光谱特性、伏安特性及时间相应特性等，以及这种光敏器件与其它光电器件的应用差别。 二、实验仪说明 1、电子电路部分结构分布 电子电路部分功能说明 （1）电压表：独立电压表...