BTS7960 智能功率芯片中文资料 BTS7960 是NovalithIC 家族三个独立的芯片的一部分:一是p 型通道的高电位场效应晶体管，二是一个n 型通道的低电位场效应晶体管，结合一个驱动晶片,形成一个完全整合的高电流半桥。所有三个芯片是安装在一个共同的引线框,利用芯片对芯片和芯片芯片技术。电源开关应用垂直场效应管技术来确保最佳的阻态。由于p 型通道的高电位开关，需要一个电荷泵消除电磁干扰。通过驱动集成技术，逻辑电平输入、电流取样诊断、转换速率调整器，失效发生时间、防止欠电压、过电流、短路结构轻易地连接到一个微处理器上。BTS7960 可结合其他的BTS7960 形成全桥和三相驱动结构。 图框如下： 下图显示使用的数据表 2 引脚结构 2.1 引脚分配 上视图是 BTS 7960B and BTS 7960P 的引脚结构 引脚的定义和功能 引脚的定义和功能 PIN SYMBOL I/O 功能 1 GND - 接地 2 IN I 输入，高电位开关、低电位开关是否开启决定 3 INH I 抑制，当设定为低电平进入睡眠状态 4，8 OUT O 功率输出 5 SR I 转换速率 功率开关的转换速率通 过SR 和GND 间连接的电阻调整 6 IS O 电流取样诊断 7 VS - 电源 应用事例 下图是智能功率芯片 BTS7960 是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片 上图是正常模式和故障模式下电流检测 智能功率芯片BTS7960 是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P 沟道的高边MOSFET、一个N 沟道的低边 MOSFET 和一个驱动 Ic，如图 1所示。集成的驱动Ic 具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能。BTS7960 通态电阻典型值为 16mQ，驱动电流可达 43A。智能功率芯片BTS7960 是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P 沟道的高边MOSFET、一个N 沟道的低边 MOSFET 和一个驱动 Ic，如图 1 所示。集成的驱动Ic 具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能。BTS7960 通态电阻典型值为 16mQ，驱动电流可达 43A。BTS7960 的引脚 Is 具有电流检测功能，正常模式下，从 Is 引脚流出的电流与流经高边 MOS 管的电流成正比，若 RIS=lkQ，则 VIS=Iload／8．5；在故障条件下，从 Is 引脚流出的电流等于IIS(1im)(约4．5mA)，最后的效果是 Is 为高电平。如图3 所示 ，图3(a)为正常模式下Is引脚电流输出，图3(b)为故障条件下IS 引脚上的电流输出。
