对 MOS 失效的原因总结以下六点MOS 管是金属 (metal) —氧化物 (oxide) —半导体 (semiconductor) 场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator) —半导体。 MOS 管的 source和 drain 是可以对调的，他们都是在P 型 backgate 中形成的 N 型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。目前在市场应用方面，排名第一的是消费类电子电源适配器产品。而MOS 管的应用领域排名第二的是计算机主板、NB、计算机类适配器、 LCD显示器等产品，随着国情的发展计算机主板、计算机类适配器、LCD 显示器对 MOS 管的需求有要超过消费类电子电源适配器的现象了。第三的就属网络通信、工业控制、汽车电子以及电力设备领域了，这些产品对于 MOS 管的需求也是很大的， 特别是现在汽车电子对于MOS 管的需求直追消费类电子了。下面对 MOS 失效的原因总结以下六点，然后对1，2 重点进行分析：1：雪崩失效 (电压失效 )，也就是我们常说的漏源间的BVdss 电压超过MOSFET 的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET 失效。2：SOA 失效(电流失效 )，既超出 MOSFET 安全工作区引起失效，分为 Id 超出器件规格失效以及Id 过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。3：体二极管失效：在桥式、 LLC 等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。4：谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。5：静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。6：栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。雪崩失效分析 (电压失效 )到底什么是雪崩失效呢， 简单来说 MOSFET 在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET 漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是MOSFET 漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。下面的图片为雪崩测试的等效原理图，做为电源工程师可以简单了解下。可能我们经常要求器件生产厂家对我们电源板上的MOSFET 进行失效分析，大多数厂家都仅仅给一个EAS.EOS 之类的结论，那么到底我们怎么区分是否是雪崩失效呢，下面是一张经过雪崩测试失效的器件图，我们可以进行对比从而确定是否是雪崩失效。雪崩失效的预防措施雪崩失效归根结底是电压失效，因此预...
