国际整流器IR IRF3205S/L HEXFET® Power MOSFET *先进的加工技术 Thermal Resistance *极低的导通阻抗 VDSS = 55V *动态的dv/dt等级 RDS(on) = 8.0mΩ *175°C运行温度 ID = 110A *充分的雪崩等级 TO-262 D2Pak IRF3205L IRF3205S 描述 来自国际镇流器公司先进的HEXFET R功率金属氧化物半导体场效应晶体管，利用先进的处理技术达到每个硅片极低的 导通阻抗。这样有益于结合高速的开关和可靠使MOSFETS大量地实用设备上，使设计师能够非常高效，可靠的应用在 各个方面。 D2Pak表面封装的适合于小功率大面积小HEX-4。它能够提供最大的功率输出和最可能小的导通阻抗在现有的贴片封装 下。D2Pak适合与大电流应用场合，是因为它有低的内部连接阻抗和具有2W的散热能力，是典型的贴片封装应用。 最大额定参数 参数 最大值 单位 ID @ TC = 25°C 持续漏极电流，Vgs@10V 110 A ID @ TC =100°C 持续漏极电流,Vgs@10V 80 A IDM 脉冲漏极电流， 390 A PD @TC = 25°C 功率消散 200 W 线性额定降低因数 1.3 W/°C VGS 门极电压 ±20 V IAR 雪崩电流 62 A EAR 重复雪崩能量 20 mJ dv/dt 二极管恢复峰值电压变化率 5.0 V/nS TJ ，TSTG 工作节点温度和保存温度 -55 to +175 °C 焊接温度，在10秒内 300（假设为1.6mm） °C 封装 扭 矩 10 lbf•in (1.1N•m) 热阻特 性 参数 典型值 最大值 单位 RθJC 节点到外 壳 — — 0.75 °C/W RθJA 接点到环 境 （PCB安 装，稳 定状 态） — — 40 电气 特 征 @Tj=25°C (除 非有其 他 详 细 说 明 ) 参数 最小 典型 最大 单位 测 试 条 件 V(BR)DSS ~ 55 — — — — V VGS = 0V, ID = 250μA ΔV(BR)DSS/ΔTJ 击 穿 电压的温度系 数 — — 0.057 — — V/°C 参考 为25°C,Id=25mA RDS(on) 静 态漏源 导通电阻 — — — — 8mΩ VDS = VGS, ID = 250μA VGS(th) 门极开启电压 2.0 —— 4.0 V VDS = 25V, ID = 62A. gfs 前向跨导 44 —— —— s VDS = 25V, ID = 62A. IDSS 漏源漏电流 —— —— 100 uA VDS=25V,VGS=0V,TJ=150℃ —— —— -100 VDS=-20V Qg 总体门极电荷 —— —— 146 nC ID=62A VDS=44V VGS=10V,See Fig.6 and 13 Qgs 门源电荷 —— —— 35 Qgd 门...
