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IRF540 N 沟道MOS管 特性 ‘Thrench’工艺 低的导通内阻 快速开关 低热敏电阻 综述 使用沟渠工艺封装的 N 通道增强型场效应功率晶体管 应用： DC 到 DC 转换器 开关电源 电视及电脑显示器电源 IRF540 中提供的是 SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。 IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安装的包裹。 管脚 管脚 描述 1 Gate 2 Drain 3 Sou rce Tab Drain 极限值 系统绝对最大值依照限制值 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 V_DSS 漏源极电压 Tj= 25 ˚C to 175˚C - 100 V V_DGR V_GS I_D I_DM P_D Tj，Tsig 漏门极电压 门源极电压 连续漏电流 脉冲漏电流 总功耗 操作点和 存储温度 Tj = 25 ˚C to 175˚C; RGS = 20 kΩ Tmb = 25 ˚C; VGS = 10 V Tmb = 100 ˚C; VGS = 10 V Tmb = 25 ˚C Tmb = 25 ˚C - - - - - - -55 100 ±20 23 16 92 100 175 V V A A A W ℃ 雪崩能量极限值 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 ASE ASI 非 重 复 性 雪崩能量 最 大 非 重 复性雪崩电流 Unclamped indu ctiv e load, IAS = 10 A; tp = 350 µ s; Tj prior to avalanche = 25˚C; VDD ≤ 25 V; RGS = 50 Ω ; VGS = 10 V; refer to fig:14 - - 230 23 mJ A 热敏电阻 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 thjm bR thjaR 安 装 底 座 交 界处的热阻 周围环境热阻 SOT78 封装，自由空间 SOT404 封装，PCB 上 - - - - 60 50 1.5 - - K/W K/W K/W 电特性 25℃ 除非另有说明 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 ()BR D SSV ()G S TOV ()D S O NR 漏源极崩溃电压 门阀电压 漏源极导通电阻 GSV=0V；DI=0.25mA Tj = -55˚C DSV = GSV; ID = 1 mA Tj = 175˚C Tj = -55˚C GSV = 10 V; ID = 17 A Tj = 175˚C 100 89 2 1 - - - - 3 - - 49 132 - - 4 - 6 77 193 V V V V V mΩ mΩ fsg G SSI DSSI 向前跨导 门源极泄漏电流 0门极电压漏电流 DSV=25V; DI=17A GSV=±20 V;DSV=0V VDS = 100 V; VGS = 0 V VDS=80V;VGS=0V;Tj= 175˚C 8.7 - - - 15.5 10 0.05 - - 100 10 250 S nA uA uA ()g totQ gsQ...