IS61LV25616AL 3.3V 的256K x 16 高速静态随机存储器。 特点： 高速存取时间：10，12ns CMOS 低功耗工作 低备用电源，低于 5mA 的备用电源 TTL 兼容接口电平 3.3V 电源单独供电 全静态操作：无需刷新，无需时钟 三态输出 数据控制为上部或下部字节 可在工业温度下使用 说明： IS61LV25616AL 是由高速的，4，194，304 字节静态RAM，由 16 位的262，144 字节组成。并利用 ISSI 的高性能 CMOS 技术合成。这种高可靠性的处理加上创新的电路设计技术，生产出高性能，低功耗的设备。 当/CE 是高电平（悬空）时，设备呈现待机模式，并且此时的功耗可以降低到 CMOS输入时的功耗。 简单的存储器扩展是由芯片使能端和输出使能端来提供，/CE 和/OE。激活低电平的/WE可以同时控制存储器的读和写。数据字节既允许高字节（/UB）进入，也允许低字节(/LB)进入。 IS61LV25616AL 被按照 JEDEC（联合电子设备工程会议）分别打包成 44 引脚 400mil（千分之一寸）J 型塑料封装(SOJ)，44 引脚微型薄片 II 式封装(TSOP)，44 引脚小外形四方扁平封装(LQFP)和 48 引脚迷你球状栅级阵列型封装(BGA)（8mm x 10mm）。 原理框图如下： 引脚配置： 44 引脚400m il（千分之一寸）J 型塑料封装(SOJ)和 44 引脚微型薄片 II 式封装(TSOP) 引脚功能介绍： A0—A17 地址输入端 I/O0—I/O15 数据输入端/输出端 /CE 芯片使能输入端 /OE 输出使能输入端 /W E 写使能输入端 /LB 低字节控制端（I/O0—I/O7） /UB 高字节控制端（I/O8—I/O15） NC 无连接 VDD 电源 GND 接地 44 引脚小外形四方扁平封装(LQFP) 48 引脚迷你球状栅级阵列型封装(BGA)（8mm x 10mm） 绝对最大额定参数 VTERM 接地端的电压 –0.5 到 VDD+0.5 TSTG 存储温度 –65 到+150 PT 功率损耗 1.0 说明：当表中所列出的参数超过绝对最大额定参数时会引起器件的毁坏。说明书中没有介绍参数的计算及在其它条件下的使用。长期工作在最大额定参数下，会影响器件的可靠性。 操作范围 环境温度 10ns 12ns 商业 0°C 到 +70°C 3.3V +10%, -5% 3.3V + 10% 工业 0°C 到 +70°C 3.3V +10%, -5% 3.3V + 10% 直流工作特性（超出操作范围） 符号 参数 测试条件 最小 最大 单位 VOH 输出最高电压 VDD = Min., IOH = –4.0 mA 2.4 -- V VOL 输出最低电压 VDD = Min., IOL = 8.0 mA -- 0.4 V VIH 输入最高电压 2.0 VDD + 0.3 V VIL 输入最低电压 -0.3 0.8 V ILI 输入损失 GND ≤ VIN ≤ VDD Com. –2 2 μA Ind. –5 5 ILO 输出损失 GND ≤ VOUT ≤ VDD Com. –2 2 μA Ou tpu ts Disabled Ind. –5 5 说明：脉冲宽度小于 10ns 时，VIL (min.) = –2.0V
