三极管和场效应管练习题2

三极管和场效应管 练习题2 一、单选题(每题1 分) 1. 场效应管本质上是一个（ ）。 A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件 C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件 2. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。 A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定 3. 放大电路如图所示，已知三极管的05，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。 A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定 4. 某三极管的V15,mA20,mW100(BR)CEOCMCMUIP，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。 A. mA10,V3CCEIU B. mA40,V2CCEIU C. mA20,V6CCEIU D. mA2,V20CCEIU 5. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。 A. 增强型PMOS B. 增强型NMOS C. 耗尽型PMOS D. 耗尽型NMOS 6. （ ）情况下，可以用H 参数小信号模型分析放大电路。 A. 正弦小信号 B. 低频大信号 C. 低频小信号 D. 高频小信号 7. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。 A.CBEIII B. BCII C. CEOCBOII)1( D.  8. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压UCE=0.3V，则此时三极管工作于（ ） 状态。 A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 无法确定 9. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 10. 下面的电路符号代表（ ）管。 A. 耗尽型PMOS B. 耗尽型NMOS C. 增强型PMOS D. 增强型NMOS 11. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。 A. EBOBRCBOBRCEOBRUUU)()()( B. EBOBRCEOBRCBOBRUUU)()()( C. CEOBREBOBRCBOBRUUU)()()( D. CBOBRCEOBREBOBRUUU)()()( 12. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。 A. NPN 管和PNP 管 B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管 C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管 D. 三极管和二极管 二、判断题(每题 1 分) 1. 对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H 参数小信号模型替代。 2. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。 3. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。 4. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏，以...