5．电磁铁直流电流源显6. 磁铁7．数字电压显8. 锑化铟磁阻传感器电流调9．电磁铁磁场强度大小显10. 电磁铁磁场强度大小调FD-MR-II 磁阻效应实验仪使用说明一、概述磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、伪钞检测、位置测量等。其中最典型的锑化铟（InSb）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻，有着十分重要的应用价值。本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种材料的传感器：利用砷化镓（GaAs）霍耳传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb）磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。学生可观测半导体的霍耳效应和磁阻效应两种物理规律，具有研究性和设计性实验的特点，可用于理工科大学的基础物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验。、仪器简锑化铟（InSb）磁阻传感砷化镓（GaAs）霍耳传3．4.-1-11. 1 和 2 是给锑化铟传感器提供小于 3mA 直流恒流电流源;3 和 4 是给砷化镓传感器提供电压源；5 和 6 是砷化镓传感器测量电磁铁间隙磁感应强度大小；7 为悬空；12. 单刀双向开关；13.单刀双向开关接线柱。航空插头说明三、技术指标1. 双路直流电源：直流电源 I：电流 0—500mA 连续可调，数字电流表显示输出电流大小。直流电源 II：输出电流 0—3mA 连续可调，供锑化铟传感器的工作电流。电流与所选取的外接电阻的乘积小于 2V。2. 数字式毫特仪：测量范围 0~0.5T，分辨率 0.0001T,准确度为 1%。四、实验项目1. 用于测定通过电磁铁的电流 I 和磁铁间隙中磁感应强度 B 的关系，观测 GaAs 霍耳元件的霍耳m效应。2. 在不同磁感应强度区域，研究 InSb 磁阻元件的电阻值变化 AR/R(0)与磁感应强度 B 的关系，求出经验公式。3. 外接信号发生器，可用于深入研究磁电阻的交流特性(倍频效应)，观测其特有的物理现象。五、注意事项1. 需将传感器固定在磁铁间隙中，不可弯折。2. 不要在实验仪附近放置具有磁性的物品。3. 不得外接传感器电源。4. 开机后需预热 10 分钟，再进行实验。5. 外接电阻应大于 200 欧姆。锑化铟磁电阻传感器的测量及应用【实验目的】1.测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。-2-2.作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。3. 对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合。【实验原理】一定条件下，导电材料的电阻值 R 随磁感...
