两种常用模式的RCD Snu bber 电路 近年来Snu bber 电路有了较大的发展， 但目前其性能并未得到合理优化，其应用也不尽如人意。这主要是由于现场应用人员并未十分重视RCD Snu bber 的基本类型、相关特性及使用场合的限制，也不重视RCD Snu bber 电路的理论分析，只是凭经验和实际工程调试，这在一定程度上降低了工程设计的工作效率。 基于上述原因，本文较深入地讨论了两种常用模式的RCD Snu bber 电路：抑制电压上升率模式与电压钳位模式，详细分析了其各自的工作原理，给出了相应的计算公式，最后通过实验提出了电路的优化设计方法。 RCD Snu bber 电路的基本类型及其工作原理 RCD Snu bber 是一种能耗式电压关断型缓冲器，分为抑制电压上升率模式和电压钳位模式两种类型，习惯上前者称为 RCD Snu bber 电路，而后者则称为RCD Clamp 电路。 为了分析方便，以下的分析或举例均针对反激电路拓扑，开关器件为功率MOSFET。 图 1 常用的RCD Snu bber 电路 抑制电压上升率模式 对于功率 MOSFET 来讲，其电流下降的速度较GTR 或 IGBT 快得多，其关断损耗的数值要比 GTR 或 IGBT 小，但是这个损耗对整个小功率的电源系统也是不容忽视的。因此提出了抑制电压上升率的RCD Snu bber。 如图 1 所示，在开关管关断瞬间，反激变压器的漏感电流需要按原初始方向继续流动，该电流将分成两路：一路在逐渐关断的开关管继续流动；另一路通过Snubber 电路的二极管 Ds 向电容 Cs 充电。由于 Cs 上的电压不能突变，因而降低了开关管关断电压上升的速率，并把开关管的关断功率损耗转移到了Snubber 电路。如果 Cs 足够大，开关管电压的上升及其电流的下降所形成的交叉区域将会进一步降低，可以进一步降低开关管的关断损耗。但是 Cs 的取值也不能过大，因为在每一个关断期间的起始点(也就是开通期间的结束点)，Cs 必须放尽电荷以对电压上升率进行有效的抑制；而在关断期间的结束点，Cs 虽然能降低开关管电压的上升时间，但其端电压最终会达到()(为忽略漏感时的电压尖峰，为次级对初级的反射电压)。 关管导通的瞬间，Cs 将通过电阻 Rs 与 M 所形成的回路来放电。Snubber的放电电流将流过开关管，会产生电流突波，并且如果某个时刻占空比变窄，电容将不能放尽电荷而不能达到降低关断损耗的目的。 可见，Snubber 电路仅在开关过渡瞬间工作，降低了开关管的损耗，提高了电路的可靠性，电压上升率...
