光伏产业链流程及工艺设备介绍 太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同，生产的工艺设备也基本相同，但工艺加工精度低于集成电路芯片的制造要求 硅砂 电弧法，用碳还原 工业硅 剖锭、 切片 制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理 电池组件 多晶硅棒 硅棒处理 多晶硅锭 单晶硅棒 多晶硅炉铸锭 单晶硅炉拉棒 多晶硅片 单晶硅片 单晶硅电池 多晶硅电池 清洗、制备绒面、磷扩散、周边刻蚀、制作电极、制作减反射膜、烧结、测试分档 切方、滚磨、切片 系统集成与应用 扩散炉、等离子体刻蚀机、清洗/制绒机、石英管清洗机、低温烘干炉、PECVD、快速烧结炉、丝网印刷机和自动检测分档设备 剖锭机、多线切割机、清洗设备、检测设备 坩埚喷涂线、坩埚烧结线及清洗装置、铸锭炉 电解制氢装置、氯化氢合成炉、三氯氢硅合成炉/精馏塔/还原炉、四氯化硅氢化炉、冷冻机组等 蓄电池，充电器，控制器，转换器，记录仪，逆变器，监视器，支架系统，追踪系统，太阳电缆等 单晶炉 切方/割机、滚磨机、锯床 玻璃清洗设备、结线/焊接设备，层压设备等 晶体硅太阳能电池的制造工艺流程： （1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。 （2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去 30－50um。 （3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。 （4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成 PN＋结，结深一般为 0.3－0.5um。 （5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。 （6）去除背面 PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面 PN＋结。 （7）制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。 （8）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5 等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD 法或喷涂法等。 （9）烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。 （10）测试分档：按规定参数规范，测试分类。 太阳能电池组件生产工艺 1 、电池检测——2 、正面焊接—检验—3 、背面串接—检验—4 、敷设（玻璃清洗...
