光刻工艺过程

光刻工艺过程 一. 总纲 1. 什么是光刻？对光刻总的质量要求是什么？ 光刻就是将掩膜版上的几何图形转移到涂有一层光刻胶的硅片表面的工艺过程。对光刻总的质量要求为： ①条宽符合指标要求 ②套刻精度符合指标要求 ③胶厚符合指标要求 ④无缺陷 ⑤胶图形具有较好的抗腐蚀能力 2. 在我们生产线的工艺中，一般有那些光刻工序层次？其中那些是关键层，为什么称之为关键层？ 对不同的工艺流程，光刻的层次可能会有所不同，一个典型的 1.0 微米单多晶双铝工艺一般需要有如下的光刻层次：阱，有源区，场注，多晶，N-LDD，N+S/D，P+S/D，接触孔，孔注，金属-1，通孔，金属-2，钝化孔。 其中，有源区，多晶，接触孔，金属-1，通孔，金属-2 我们称之为关键层。之所以称之为关键层，是因为这些层次的光刻： ①直接影响器件的电学性能或对最终成品率有重大影响 ②条宽要求最严格 ③套刻精度要求最严格 . 典型的光刻流程。 一个典型的光刻全过程为： 硅片表面预处理→涂胶（去边）→前烘→（对位）曝光→PEB 烘→显影→后烘→显检（测量） 二. 涂胶前处理 1. 涂胶前为什么要进行增粘处理？ 一般可利用亲水/疏水理论对其进行解释。由于衬底表面吸水存在氢氧基团，使疏水的光刻胶无法与亲水的硅片表面结合良好。通常的方法是使用 hydroxy getter 化学方法去除表面的 OH 基团，一般采用 alkylsilane compounds,如 HMDS. 2. 使用烘箱进行 HMDS 增粘处理要注意那些问题？ 使用烘箱进行 HMDS 增粘处理的注意事项： ① 预处理完的硅片应在一定的时间内尽快涂胶，以免表面吸附空气中的水分，降低增粘效果。但同时也要充分冷却，因硅片的温度对胶厚有很大的影响。 ② 反复预处理反而会降低增粘效果。 ③ HMDS 的瓶盖打开后，其寿命有限，一定要尽快用完。 三. 涂胶 1. 对涂胶总的质量要求是什么？ 对涂胶总的质量要求为： ① 胶厚符合指标要求 ② 均匀性符合指标要求 ③ 缺陷少 ④ 去边整齐 ⑤ 硅片背面沾污小 2. 涂胶的典型过程。 涂胶的典型过程为： 接片对中→稳定转速→滴胶→慢速匀胶→快速匀胶→硅片底部清洗→硅片顶部去边→快速甩干 3. 影响胶厚的因素有那些？ 影响胶厚的因素有： ① 硅片的温度 ② 胶的温度 ③ 环境温度和湿度 ④ 排风量 ⑤ 涂胶程序（预匀的转速和时间，快速匀胶的速度，加速度等） ⑥ 胶本身的黏度 ⑦ 胶量 前烘的温度时间及方式 4. 为什么要去...