精品文档---下载后可任意编辑940nm 半导体激光器的结构设计与芯片制备中期报告本次中期报告的内容主要包括 940nm 半导体激光器的结构设计与芯片制备过程。一、结构设计1.波长选择：根据需求选择 940nm 波长，该波长适用于红外通信、激光雷达、光学测距等领域。2.材料选择：采纳 AlGaAs 材料作为激光器的有源层。该材料在940nm 波长下具有较高的光电转换效率和光输出功率。3.结构设计：采纳常见的电流注入式反向结构设计，即 p-n 结后面接有 n-p 结。该结构简单易制备，具有较高的电流注入效率和较低的自发辐射现象。二、芯片制备1.材料生长：在 GaAs 衬底上通过金属有机化学气相沉积技术（MOCVD）生长几个半导体材料层。包括 n-type GaAs 层、n-type AlGaAs 层、undoped AlGaAs 层、p-type AlGaAs 层和 p-type GaAs突破层。2.结构制备：在制备好的 AlGaAs/GaAs 材料上，采纳电子束光刻、干法刻蚀等工艺制备出激光器的结构。包括加工出 n-contact 电极、p-contact 电极和光学井。3.特性测试：对制备好的芯片进行电学和光学测试，包括伏安特性测试、L-I 曲线测试、波长测试、光谱分析等，以评估制备好的激光器性能。未来工作计划：1.继续对生长工艺进行优化，提高材料生长质量。2.进一步优化结构设计，以提高激光器的性能和稳定性。3.根据测试结果对芯片进行改进和调整，以满足实际应用需求。
