精品文档---下载后可任意编辑GaN 基增强型器件及 AlGaNGaN 二次生长的讨论的开题报告1. 讨论背景随着半导体器件的广泛应用，对器件的性能要求也越来越高。其中，功率器件在领域中的地位和作用越来越重要。GaN 基增强型器件以其低电阻、高电子饱和迁移率等特性，逐渐成为高性能功率器件的首选材料。同时，AlGaNGaN 二次生长技术也成为制备高质量 GaN 基器件的重要方法之一。2. 讨论目的本讨论旨在通过讨论 GaN 基增强型器件及 AlGaNGaN 二次生长技术，提高 GaN 基器件的性能。具体讨论内容包括：（1）探究 GaN 基增强型器件中的电子输运机制，提高其电子饱和迁移率和电导率；（2）讨论 AlGaNGaN 二次生长技术中的材料生长机理，提高其材料质量和晶体结构；（3）结合 GaN 基增强型器件和 AlGaNGaN 二次生长技术，设计制备高性能的 GaN 基功率器件。3. 讨论内容和方法（1）电子输运机制讨论：采纳自行设计的器件结构，在器件的多个不同区域进行电学测试，获得对不同区域的电子输运特性信息。结合模拟分析方法，探究电子输运机制。（2）AlGaNGaN 二次生长机理讨论：采纳分子束外延（MBE）技术，根据生长过程中的实验结果，讨论材料生长机理和影响因素。（3）GaN 基功率器件设计制备：根据前两步的基础讨论成果，结合自己的实验室实际情况，设计制备高性能的 GaN 基功率器件。4. 预期成果（1）深化探究 GaN 基功率器件中的电子输运机制，提高其电子饱和迁移率和电导率；（2）讨论 AlGaNGaN 二次生长技术中的材料生长机理，在制备中获得高质量的 AlGaNGaN 材料；精品文档---下载后可任意编辑（3）设计制备高性能的 GaN 基功率器件，具有广泛的应用前景。
