精品文档---下载后可任意编辑GaN 基谐振腔结构发光器件讨论的开题报告一、讨论背景和意义随着半导体照明技术的不断进步和应用范围的扩大，发光器件的讨论和制备显得越来越重要。其中，GaN 基蓝紫光发光器件因其高亮度、高寿命、低电压等特点，已经成为近年来讨论热点。而谐振腔结构发光器件由于其在较小尺寸下具有高光输出功率，一直被认为是制备高性能光电器件的有效手段。二、讨论内容和技术路线本讨论将以 GaN 基材料为基础，讨论谐振腔结构发光器件的制备、表征和优化。具体包括以下讨论内容：1. 讨论 GaN 基材料的物性和制备方法，并选择适合的制备方法；2. 设计并制备谐振腔结构发光器件，并测试其在室温下的光致发光谱及光电性能；3. 对谐振腔结构发光器件进行表征和优化，包括优化器件的几何参数、改变材料的厚度等；4. 将优化过的器件与已有的器件进行比对，验证其高性能。三、讨论进展和计划目前，已经完成了 GaN 基材料的选择和制备方法的讨论，正在进行谐振腔结构发光器件的制备工作。其后将进行器件的测试和表征，并在此基础上进行优化。最后将与已有的器件进行比对，验证其高性能。四、讨论意义和应用前景通过此讨论，可以探究出一种高性能的谐振腔结构发光器件制备方法，并进一步提高蓝紫光发光器件的性能。此外，该类器件广泛应用于LED、激光、光电检测等领域，具有宽阔的应用前景。
