精品文档---下载后可任意编辑GaN 缺陷表面及其对 TiO2 吸附影响的理论讨论的开题报告题目：GaN 缺陷表面及其对 TiO2 吸附影响的理论讨论讨论背景：氮化镓（GaN）材料由于其良好的物理、化学和光电性能而在光电子学、显示器件和晶体管等领域得到广泛的应用。然而，一些缺陷和杂质的存在会严重影响其性能，因此讨论 GaN 表面缺陷及其对吸附材料的影响具有重要意义。此外，GaN/TiO2 异质结构的制备和应用也受到越来越多的关注。因此，本讨论旨在探究 GaN 缺陷表面及其对 TiO2 吸附的影响，为制备高性能的 GaN/TiO2 异质结构提供理论基础。讨论内容：本讨论将采纳密度泛函理论（DFT）计算方法，讨论 GaN 表面最稳定的缺陷类型、缺陷密度及其对 TiO2 吸附的影响。具体包括以下讨论内容：1. 确定 GaN 表面的最稳定晶面和晶胞结构；2. 系统讨论 GaN 表面不同缺陷类型（如 Ga、N 缺陷、Ga-N 空位复合物、氧杂质等）的几何结构、能带结构、电子结构和表面能，并对不同缺陷密度下的 GaN 表面进行模拟；3. 计算不同缺陷密度的 GaN 表面对 TiO2 的吸附能及吸附构型，并探究不同表面能对吸附过程的影响；4. 分析不同缺陷类型及其密度对 GaN/TiO2 异质结构的影响。讨论意义：本讨论的结果可以为制备高性能的 GaN/TiO2 异质结构提供理论基础，也可以为 GaN 表面缺陷的控制提供参考，并拓展 DFT 方法在半导体表面及异质结构讨论中的应用。讨论方法：本讨论将采纳 VASP 软件包进行计算，使用能量优化和分子动力学模拟等方法对系统进行讨论，并通过分析能带结构和表面能等性质讨论缺陷表面的电性质和表面吸附特性。拟解决的关键问题：精品文档---下载后可任意编辑1. GaN 表面的最稳定晶面和晶胞结构；2. 缺陷表面的能带结构、电子结构和表面能；3. 不同缺陷密度下的 GaN/TiO2 异质结构的稳定性和光电性质。预期结果及其意义：本讨论估计可以得到以下结果：1. 确定 GaN 表面的最稳定晶面和晶胞结构；2. 讨论 GaN 表面不同缺陷类型及其密度对 TiO2 吸附的影响；3. 探究不同缺陷类型及其密度对 GaN/TiO2 异质结构的光电性质的影响；4. 拓展 DFT 方法在半导体表面及异质结构讨论中的应用。
