一 、 中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一 部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示 NPN型硅材料高频三极管 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一 部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个 pn结 的其他 器件、3-具有四个有效电极或具有三个 pn结 的其他 器件、┄┄依 此 类推 。 第 二 部 分 ： 日 本 电 子 工 业 协 会 JEIA注 册 标 志 。 S-表 示 已 在 日 本 电子 工 业 协 会 JEIA注 册 登 记 的 半 导 体 分 立 器 件 。 第 三 部 分 ： 用 字 母 表 示 器 件 使 用 材 料 极 性 和 类 型 。 A-PNP型 高 频管 、B-PNP型 低 频 管 、C-NPN型 高 频 管 、D-NPN型 低 频 管 、F-P控制 极 可 控 硅 、G-N控 制 极 可 控 硅 、H-N基 极 单 结 晶 体 管 、J-P沟 道 场效 应 管 、K-N 沟 道 场 效 应 管 、M-双 向 可 控 硅 。 第 四 部 分 ： 用 数 字 表 示 在 日 本 电 子 工 业 协 会 JEIA登 记 的 顺 序 号 。两 位 以 上 的 整 数 -从 “11”开 始 ， 表 示 在 日 本 电...
