课 程 设 计 课程名称 微电子器件工艺课程设计 题目名称 PNP双极型晶体管的设计 学生学院___ 材料与能源学院___ _ 专业班级 08电子材料1班 学 号 3108007452 学生姓名____ 123 __ _ 指导教师____ 魏爱香、何玉定_ ___ 2011 年 6 月 17 日 广东工业大学课程设计任务书 一、课程设计的内容 设计一个均匀掺杂的pn p型硅双极晶体管，满足T=300K 时，基区掺杂浓度为NB=1016cm-3,`共发射极电流增益β =50。BVCEO=60V，设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响，假设经验参数为年n=3) 二、课程设计的要求与数据 1．了解晶体管设计的一般步骤和设计原则 2．根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度NE, NB,和NC, 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。 3．根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度Wc，基本宽度Wb，发射区宽度We和扩散结深 Xjc, 发射结结深 Xje等。 4．根据扩散结深 Xjc, 发射结结深 Xje等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。 5．根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。 6. 根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。 7．撰写设计报告 三、课程设计应完成的工作 1. 材料参数设计 2.晶体管纵向结构设计 3.晶体管的横向结构设计（设计光刻基区、发射区和金属化的掩膜版图形） 4．工艺参数设计和工艺操作步骤 5.总结工艺流程和工艺参数 6. 写设计报告 四、课程设计进程安排 序号 设计各阶段内容 地点 起止日期 1 教师布置设计任务，讲解设计要求和方法 教1-401 2011.6.6 2 学生熟悉设计任务，进行资料查阅和整体设计方案的制定 图书馆， 教1-401 2011.6.7 3 设计晶体管的各区材料参数和结构参数设计 图书馆， 教1-401 2011 .6.8 4. 教师集中辅导，分析材料参数和结构设计中存在的主要问题 教1-407 2011.6.9 5 晶体管工艺参数设计， 实验室 教1-402 2100.6.10- 2011.6.11 6 绘制光刻基区、发射区和金属化的版图 实验室 教1-402 2011.6.12 2011.6.13 8 教师集中辅导，分析工艺设计中存在的主要问题 实验室 教1-322 2011.6.14 9 总结设计结果，写设计报告 实验室 教1-322 2011.6.15 10 写课程设计报告 图书馆， 宿室...
