郑州科创电子有限公司 地址：郑州市航海西路 1 号 电话：0 3 7 1–6 8 8 6 9 2 0 2 第1 页，共9 页 目 录 目 录 ................................................................................................ 1 第一部分：关于 IGBT 器件和可控硅器件的对比 ................................. 2 1. IGBT 和可控硅内部原理对比 ................................................................. 2 第二部分：多种电路结构中频电源能耗对比 ...................................... 3 1. 可控硅并联谐振电源 ............................................................................... 3 2. IGBT 串联谐振电源 ................................................................................. 4 第三部分：IGBT 串联感应加热电源对比可控硅并联感应加热电源可靠性优势 ................................................................................................ 6 郑州科创电子有限公司 地址：郑州市航海西路 1 号 电话：0371–68869202 第2页，共9 页 第一部分：关于 IGBT 器件和可控硅器件的对比 1. IGBT 和可控硅内部原理对比 IGBT 是栅极为 MOS 构造，同时兼具 MOS 管高速、输入阻抗高、易驱动与 GTR 的通态压降小、载流密度大、耐压高、热稳定性好、双极晶体管通态压降低的优点于一身。，简化结构如上图。工作时由于 IGBT 的电导调制特性，RN 减小很多使得 IGBT 的通态电阻很低，大约为 VMOS 的十分之一，使得 IGBT 的功耗很低。从简化等效电路上看，IGBT相当于是用双极性晶体管与 MOSFET 组成的达林顿结构，相当于一个 MOSFET 驱动的晶体管。因此，IGBT 的通态压降很低，特别是在大电流的情况下更为明显。而由于 IGBT的栅极为 MOS 构造，因此 IGBT 的开关损耗与可控硅相比非常低。 可控硅为换流关断型，它的门极只能使管子开通，不能使其关断。管子开通后，门极就失去了控制能力，只能依靠外部换流使流过管子的电流下降为0，或者使管子两端的电压反向而关断。因此可控硅的开关损耗非常高，在较高的频率下使用效率很低。 IGBT 内部结构示意图 可控硅内部结构示意图 郑州科创电子有限公司 地址：郑州市航海西路 1 号 电话：0371–68869202 第3页，共9 页 第二部分：多种电路结构中频电源能耗对比 1...
