精品文档---下载后可任意编辑PtSiSi 界面的掺杂效应及氧化物生长中 Si 表面电子作用的理论讨论中期报告本讨论旨在探究 PtSiSi 界面的掺杂效应及氧化物生长中 Si 表面电子作用的理论。在本阶段，我们主要完成了以下工作：一、讨论了 PtSiSi 界面的掺杂效应我们采纳密度泛函理论(DFT)方法计算了 PtSiSi 界面在不同掺杂条件下的电子结构和电子密度。计算结果表明，PtSiSi 界面通过掺入钼、钨等元素，可以在保持晶体结构不变的情况下，显著改善载流子迁移率和电子传输性能。二、讨论了氧化物生长中 Si 表面电子作用的影响我们采纳 DFT 方法讨论了在不同氧化物生长条件下，Si 表面电子的作用。计算结果表明，在高温氧化条件下，Si 表面电子将控制氧化物的生长速率。而在低温氧化条件下，Si 表面电子对氧化物生长没有显著影响。总体而言，我们的讨论结果为 PtSiSi 界面掺杂和氧化物生长提供了理论支持，为实验提供了方向和指导。下一步，我们将继续讨论 PtSiSi界面的掺杂效应和氧化物生长中 Si 表面电子的作用，以期更进一步理解和掌握 PtSiSi 界面的物理特性。
