精品文档---下载后可任意编辑p 型金属诱导横向结晶多晶硅 TFT 直流应力下的退化讨论的开题报告一、讨论背景和意义近年来，随着显示技术的不断进展和广泛应用，薄膜晶体管（TFT）作为显示器中的关键元件，已经成为了讨论的热点之一。目前，TFT 主要有两类，即单晶硅 TFT和多晶硅 TFT。其中，多晶硅 TFT 由于其制备工艺简单，所需的加热温度较低，因此在工业上得到了广泛的应用。然而，多晶硅 TFT 在长时间工作的过程中会受到直流应力的影响，导致其性能的退化。因此，为了提高多晶硅 TFT 的长期性能，需要对其直流应力下的退化过程进行深化的讨论。在多晶硅 TFT 中，p 型金属诱导侧向结晶技术已经成为一种重要的制备方法。但是，在直流应力下，p 型金属诱导横向结晶多晶硅 TFT 的退化行为仍然不清楚。因此，通过对 p 型金属诱导横向结晶多晶硅 TFT 直流应力下的退化进行讨论，可以为该技术的进一步进展提供理论依据和指导。二、讨论内容和方法1. 讨论内容（1）通过制备 p 型金属诱导横向结晶多晶硅 TFT 器件，在常温常压、直流电压下进行长期的电压加速热退化实验。（2）通过 IV 特性、C-V 特性、子导电子显微镜等测试手段，详细讨论 p 型金属诱导横向结晶多晶硅 TFT 器件在直流应力下的性能变化规律，探讨其退化机制。（3）通过不同的直流应力条件下的退化实验，讨论退化程度与直流应力的关系，并建立相关的数学模型对实验结果进行分析和预测。2. 讨论方法（1）制备 TFT 器件：采纳射频磁控溅射技术制备多晶硅薄膜，通过 p 型金属诱导侧向结晶技术制备 p 型金属诱导横向结晶多晶硅 TFT 器件。（2）测试手段：通过常规的电学测试手段，如 IV 特性测试、C-V 特性测试等，分析器件的电性能；通过子导电子显微镜等测试手段，分析材料结构和表面形貌。（3）实验设计：设计不同的退化条件，如不同直流电压、不同退化时间等，通过长期的电压加速热退化实验，讨论器件的退化行为。三、讨论预期成果1. 通过对多晶硅 TFT 直流应力下的退化讨论，揭示 p 型金属诱导横向结晶多晶硅 TFT 器件的长期稳定性问题。2. 多晶硅 TFT 器件的直流应力退化行为特点的讨论，可为工业应用的使用提供一定的参考。精品文档---下载后可任意编辑3. 可以建立多晶硅 TFT 器件的退化行为的数学模型，对该类器件的实际应用提供指导性意见和方案。
