精品文档---下载后可任意编辑SiC 肖特基势垒二极管关键工艺开发与器件研制的开题报告一、选题背景SiC 肖特基势垒二极管是一种新型高功率半导体器件，由于其具有高电压、高频率、高温等优异性能，已逐渐取代 Si 技术和常规的三极管逆变器技术，成为现代电力电子系统和新能源应用领域的重要器件之一
目前，国际上先进的 SiC 肖特基势垒二极管已实现了数十千伏电压、数兆赫兹频率、几百摄氏度工作温度等特性，但是我国在该领域尚属于起步阶段，市场仍然依赖进口，迫切需要开展相关讨论
二、讨论内容本课题将开展 SiC 肖特基势垒二极管关键工艺开发与器件研制工作，主要包括以下内容：1
SiC 肖特基势垒二极管关键工艺流程的优化和改进讨论，包括表面制备、沉积、退火等工艺；2
器件结构设计和模拟分析，通过仿真对不同器件结构进行性能评估，选择合适的结构，并进行器件制作和测试；3
SiC 肖特基势垒二极管的特性讨论，包括电压、电流、频率等性能测试，对器件的可靠性、寿命等进行评估
三、讨论意义本讨论将填补国内 SiC 肖特基势垒二极管关键工艺和器件设计方面的空白，为国产高性能 SiC 肖特基势垒二极管的研制提供技术支撑
同时，随着我国新能源汽车、光伏发电等应用领域的不断进展，讨论成果将促进我国先进电力电子系统的进展
四、讨论方法本讨论将采纳以下方法：1
根据国内外同类讨论成果和相关文献，确定讨论内容和工艺流程；2
通过仿真软件对器件结构进行优化设计，并制作样品进行测试；3
对器件的电性能、过渡特性、稳态特性、可靠性特性等进行测量，并对测试结果进行分析和讨论
精品文档---下载后可任意编辑五、讨论计划本讨论计划分为三个阶段：1
前期实验和试验：根据 SiC 肖特基势垒二极管器件制备过程中的实验结果，优化各项制备工艺，确定合适的器件结构；2
器件制造和测试：完成器件的制造和测试，对制备的 Si
