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Si上SiC的CVD外延生长研究的开题报告

Si上SiC的CVD外延生长研究的开题报告_第1页
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精品文档---下载后可任意编辑Si(111)上 SiC 的 CVD 外延生长讨论的开题报告题目:Si(111)上 SiC 的 CVD 外延生长讨论讨论背景和意义:外延生长技术是制备半导体器件必不可少的方法之一。 SiC 是一种非常有希望应用于高温、高功率、高频等领域的半导体材料。CVD 外延法是制备 SiC 薄膜的常用方法,它具有操作简单、薄膜均匀、晶体质量好等特点,因此在实际工业生产中得到了广泛应用。然而,Si(111)表面的结构具有惯性,不利于 SiC 的外延生长,因此如何解决这一难点问题是本讨论的重点。讨论内容和方法:本讨论拟采纳 CVD 外延法,结合化学剂和表面处理方法,讨论 Si(111)表面SiC 的外延生长条件。具体实验步骤包括:1. 表面处理:采纳化学方法或 MOCVD 方法对 Si(111)表面进行处理,以改变表面结构特征,利于 SiC 的晶体生长。2. 束缚层:引入第三方物质,如 Al、B 等,形成束缚层,增加 SiC 晶体生长的活性。3. 加载反应气氛:控制反应器的温度和气氛,选择适合的载气和原料气体。4. 硅碳薄膜:依据前期实验结果,进行合理选择,研制合适的诱导生长剂和添加剂,成长 SiC 薄膜。讨论预期成果:通过对 Si(111)表面 SiC 的外延生长条件的讨论,估计能够获得以下成果:1. 确定适合 Si(111)表面的处理方法,解决 SiC 生长的难点问题。2. 获得理想的 SiC 晶体薄膜,为后续工业生产提供技术支持。3. 对 SiC 的基础讨论起推动作用,为未来的讨论提供重要的理论和技术指导。参考文献:[1] Munz, Wo-Yueh; Yan, Pengfei; Shi, Zhiming; Rokosz, Matthew J.; Hornbachner, Benjamin. “Silicon carbide: a playground for charge carrier physics”. Elsevier, 2024.[2] Li, J. “Growth and Characterization of High Quality Crystalline SiC Epilayers”. Master thesis in KTH, 2024.[3] Theis, Peter; Yang, Guosheng. “Enhancement mode SiC MOSFETs for industrial applications”. John Wiley & Sons Ltd, 2024.

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