为同步整流选择最优 MOSFET 应用笔记 2.3 版，2009 年 5 月 应用笔记，版本2.0，2010年5月 为同步整流选择最优MOSFET 为 同 步 整 流 选 择 最 优 MOSFET 应 用 笔 记 2.3 版 ， 2009 年 5 月 1 . 导言 电 源 转 换 器 的 封 装 密 度 日 益 提 高 和 节 能 标 准 越 来 越 严 格 ， 要 求 不 断 提 高 电 源 级 的 能 效 。 隔离 式 电 源 转 换 器 的 次 级 整 流 产 生 的 严 重 的 二 极 管 正 向 损 耗 是 主 要 的 损 耗 ， 因 此 ， 只 有 利 用同 步 整 流 （ SR） ， 才 可 能 达 到 很 高 的 能 效 水 平 。 用 MOSFET来 替 代 二 极 管 引 发 了 新 的 挑 战——优 化 系 统 能 效 和 控 制 电 压 过 冲 。本 应 用 笔 记 介 绍 了 面 向 英 飞 凌 OptiMOS™3解 决 方 案 的优 化 表 （ 适 用 于 30 V、40 V、60 V、75 V、80 V、100 V、120 V和 150 V等应 用 ） ， 有 助于 选 择 最 佳MOSFET。 图1 . 二 极 管 整 流 与同 步 整 流 之比较 2 . 同步整流基础知识 要 选 择 最 优 MOSFET用 于 执行同 步 整 流 ， 必须充分理解 MOSFET的 功率损 耗 机制 。 首先，必须区分开随负载而变化 的 传导损 耗 与基本 保持不 变的 开关损 耗 。 传导损 耗 取决 于MOSFET的 RDS(on)和 内置体二 极 管 的 正 向 电 压 VSD。 随着输出电 流 的 提 高 ， 传导损 耗 （ RDS(on)损 耗 ） 也会相应 地增加。 为 确保两个SR MOSFET之间的 互锁， 以避免出现贯通电 流 ， 必须实现一定的 死区时间。 因 此 ， 在开启一次 侧之前， 必须关闭相应 的 MOSFET。 由于 该为 同 步 整 流 选 择 最 优 MOSFET 应 用 笔 记 2.3 版 ， 2009 年 5 月 MOSFET正 在 传 导 全 部 续 流 电 流 ， 因 此 ， 这 些 电 流 将 不 得 不 从 MOSFET通 道 ， 转 而 流 向 内置 的 体 二 极 管 ， 并 由 此 产 生 额 外 的 体 二 极 管 损 耗 。体 二 极 管 的 导 通 时间很短， 仅为 50 ns 至100 ns 左右， 因 而 ， 当输出电 压比体 二 极 管 的 正 向 电 压高得...
