精品文档---下载后可任意编辑SOI 基 SiOx 柱光子晶体的讨论中期报告本讨论目的为设计和制备 SOI 基 SiOx 柱光子晶体，并探究其光学性能及应用，现处于讨论中期，以下为讨论进展汇报。1. 光子晶体结构设计在考虑 SOI 基础上，选择 SiOx 作为填充材料，结构采纳正交对称性，通过布里渊区分析确定了光子带隙位置和宽度，并通过计算模拟优化了结构参数，最终设计出了合适的光子晶体结构。2. 光子晶体制备采纳标准的半导体加工工艺，利用电子束光刻技术在 SOI 上加工出光子晶体结构，然后进行湿法刻蚀，最终得到了完整的柱状光子晶体。3. 光学性能测试通过光学测试，测量了光子晶体的透射谱和反射谱，并且与数值计算模拟结果相比较。结果表明，晶体中存在一定的光子带隙，并且光子带隙的位置和宽度与数值计算模拟结果比较一致。4. 应用讨论以柱状光子晶体为基础，设计了光学传感器，并进行了初步实验。结果表明，光子晶体在光学传感器中具有较高的灵敏度和稳定性，可以实现对某些化学物质的高效检测。5. 讨论展望下一步将进一步探究 SOI 基 SiOx 柱光子晶体的光学性能，包括增强荧光、模式锁定、液晶调制等方面的讨论，并探究更多的应用场景。
