精品文档---下载后可任意编辑不同表面形貌 GaN 纳米线的制备及其场发射特性讨论的开题报告摘要：近年来，由于其巨大的理论表面积和优异的物理、化学性能，氮化物纳米线引起了广泛的关注和讨论。氮化物纳米线由于其尺度效应和量子限制效应，其表现出良好的场致发射性能，在场发射器件领域具有广泛的应用前景。本讨论拟探究不同表面形貌 GaN 纳米线的制备方法和场发射特性讨论。讨论方法：本讨论将采纳化学气相沉积法在金属催化剂表面生长 GaN 纳米线，并通过不同表面处理方法（如氧化/还原、酸洗等）制备不同形貌的 GaN纳米线。通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜分析 GaN 纳米线的形貌、晶体结构等性质。同时，通过电子发射检测器测试不同表面形貌 GaN 纳米线的场发射特性，并探究表面形貌对其场致发射性能的影响。预期结果：本讨论将在化学气相沉积法制备 GaN 纳米线的基础上，通过不同表面处理方法制备不同形貌的 GaN 纳米线，并测试其场致发射性能。估计将获得不同表面形貌 GaN 纳米线的场致发射性能曲线、发射电流密度等数据，并探究表面形貌对其场致发射性能的影响，为氮化物纳米线场发射器件的设计和制备提供参考。
