二极管习题的答案【篇一：1 章习题答案】检测题一．选择和填空1．纯净的、结构完整的半导体称为掺入杂质后称若掺入五价杂质其多数载流子是电子。2．在本征半导体中，空穴浓度电子浓度；在 n 型半导体中，空穴浓度浓度；在 p 型半导体中，空穴浓度 a 电子浓度。（a•大于，b 小于，c・等于）3.关系十分密切。（a•温度，b 掺杂工艺，c・杂质浓度）4.当 pn 结外加正向电压时，扩散电流；当 pn 结外加反向电压时，扩散电流 b 漂移电流，耗尽层 d。（a・大于，b 小于，c・等于，d・变宽，e・变窄，f 不变）5．二极管实际就是一个 pn 结，pn 导通状态；反向偏置时，处于截止状态。6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_a_，反向电流一般_d_。7. 已知某二极管在温度为 25°C 时的伏安特性如图选择题 7 中实线所示，在温度为 t1时的伏安特性如图中虚线所示。在 25C 时，该二极管的死区电压为 0・5伏，反向击穿电压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度 t125C。（大于、小于、等于）图选择题 7v8pn 结的特性方程是 i?is（evt?1）。普通二极管工作在特性曲线的正向区；稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。））））6.pn 结方程既描写了 pn 结的正向特性和反向特性，又描写了 pn 结的反向击穿特性。习题1.1 图题 1.1 各电路中，vi的输出电压波形。v，忽略 d 的导通压降和死区电压，画出各电路相应(a)v(b)dv(c)图题 1.1解：(a) 图中，viO 时，二极管截止，vo=0；viO 时，二极管导通，vo=vi。(b) 图中，二极管导通，vo=vi+10。(c) 图中，二极管截止，vo=0。1・2 求图题 1.2 所示电路中流过二极管的电流 id 和 a 点对地电压 va。设二极管的正向导通电压为 0・7v。rrd(a)rrd?(b)图题 1.2解：(a)va??6?0・7??5・3vid?10?var1??0?var2r2?1.3ma(b)10?var1va?(?6)?va?0.7r3得 va?4.96vid?va?0.7r3?1.42ma1.33 电路如图题 1.3 所示，已知 d1 为锗二极管，其死区电压 vth=0・2v,正向导通压降为 0・3v；d2 为硅二极管，其死区电压为 vth=0・5v，正向导通压降为 0・7v。求流过 di、d2 的电流 i1 和 i2。2图题 1.3解：由于 di 的死区电压小于 d2 的死区电压，应该 di 先导通。设d1 通、d2 截止，此时ii?i5?0.3i0?i03?i00a?i.46ma小于 d2 的开启电压，所以 d2 截止，因此i2=0ii图题 i.4解：(a)图中，两个二极管导通，i?i05?2m...
