精品文档---下载后可任意编辑课程基础单元概述概述作为一名合格的电子硬件工程师，数子电路设计和模拟电路设计是基础，必须要掌握。FPGA 是电子专业的一个小小的方向，其实是大部分的电子工程师都要掌握的技能。FPGA 内部结构是用最基础的元器件构成的。要掌握 FPGA 技能，必须知道内部元器件的工作状态，这就需要掌握模拟电路的基本知识。FPGA 作为载体，并且与 FPGA 相连接的外围电路，亦要设计模拟电路的知识。我们的课程从基础的模拟电路开始。基本三极管放大电路晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的 PN 结，两个 PN 结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有 PNP 和 NPN 两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极 b 发射极e 和集电极 c。发射区和基区之间的 PN 结叫发射结，集电区和基区之间的 PN 结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP 型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是 PN 结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有 PNP 型和 NPN 型两种类型。三极管的内部结构和符号：三个极：发射极 e、基极 b、集电极 c三个区：发射区、基区、集电区两个 PN 结：发射结、集电结三极管的内部结构：三个极 三个区 两个 PN 结 三极管的符号：晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将 ΔIc/ΔIb 的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于 PN 结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。放大状态：当加在三极管发射结的电压大于 PN 结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极...
