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核技术探测复习材料剖析

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精品文档---下载后可任意编辑精品文档---下载后可任意编辑精品文档---下载后可任意编辑核技术 探测复习材料一、简答题:(共 35 分)1.带电粒子与物质发生相互作用有哪几种方式?(5 分) 与原子核弹性碰撞;(核阻止)(1 分)与原子核的非弹性碰撞;(轫致辐射)(1 分) 与核外电子弹性碰撞; (1 分)与核外电子的非弹性碰撞;(电离和激发)(1 分) 正电子湮灭;(1 分)2.气体探测器两端收集到的离子对数和两端外加电压存在一定的关系。具体如下图所示。(5 分) 填空: Ⅰ 复合区 (1 分)Ⅱ饱和区(电离室区)(1 分)Ⅲ 正比(计数)区(1 分)Ⅳ 有限正比区 (1 分)Ⅴ G-M 区 (1 分) 注:1)有限区的 0.5 分 3.通用闪耀体探头的组成部件有那些?为什么要进行避光处理?(5 分) 答案要点 1)闪耀体(1 分)、光学收集系统(1 分)(硅油和反射层)、光电倍增管(1 分)、 2)光电倍增管的光阴极(1 分)具有可见光光敏性(1 分),保护光电倍增管。4.PN 结型半导体探测器为什么要接电荷灵敏前置放大器?(5 分) 答:由于输出电压脉冲幅度 h 与结电容 Cd 有关(1 分),而结电容随偏压(2 分)而变化,因此当所加偏压不稳定时,将会使 h 发生附加的涨落,不利于能谱的测量;为解决该矛盾,PN 结半导体探测器通常不用电压型或电流型前置放大器,而是采纳电荷灵敏前置放大器。电荷灵敏放大器的输入电容极大,可以保证 C入 >> Cd ,(2 分)而 C 入是十分稳定的,从而大大减小了 Cd 变化的影响。可以保证输出脉冲幅度不受偏压变化的影响。 注)1 所有讲述半导体探测器原理得 1 分5.衡量脉冲型核辐射探测器性能有两个很重要的指标,这两个指标是指什么?为什么半导体探测器其中一个指标要比脉冲型气体电离室探测器好,试用公式解释?(5 分) 答案要点:第 1 问: 能量分辨率(1.5 分)和探测效率(1.5 分) 注:1)答成计数率得 1 分 第 2 问: η=2.36√Fw0E (1 分)w0半导体

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