影 响 MOS 管 开 关速度的因素 1.概 述 MOSFET 的 原 意 是 ： MOS（ Metal Oxide Semiconductor 金 属 氧 化 物 半 导 体 ） ，FET（ Field Effect Transistor 场 效 应 晶 体 管 ） ， 即 以 金 属 层 （ M） 的 栅 极 隔 着 氧 化 层（ O） 利 用 电 场 的 效 应 来 控 制 半 导 体 （ S） 的 场 效 应 晶 体 管 。 在 这 里 主 要 谈 一 下 功 率场 效 应 晶 体 管 即 功 率 MOSFET。 功 率 场 效 应 晶 体 管 也 分 为 结 型 和 绝 缘 栅 型 ,但 通 常 主 要 指 绝 缘 栅 型 中 的 MOS 型（ Metal Oxide Semiconductor FET） ,简 称 功 率 MOSFET（ Power MOSFET） 。结型 功 率 场 效 应 晶 体 管 一 般 称 作 静 电 感 应 晶 体 管 （ Static Induction Transistor——SIT） 。其特点是 用 栅 极 电 压来 控 制 漏极 电 流， 驱动电 路简 单， 需要 的 驱动功 率 小， 开关速度快， 工作 频率 高， 热稳定性优于 GTR， 但 其电 流容量小， 耐压低， 一 般 只适用 于功 率不超过 10kW 的 电 力电 子装置。 功 率MOSFET 的 种类： 按导 电 沟道可分 为P 沟道和N 沟道。按栅 极 电 压幅值可分 为 ；耗尽型 ；当栅 极 电 压为 零时漏源极 之间就存在 导 电 沟道， 增强型 ；对于 N（ P）沟道器件， 栅 极 电 压大于（ 小于） 零时才存在 导 电 沟道。但 实际应 用 的 只有增强型 的N 沟道 MOS 管 和 增强型 的 P 沟道 MOS 管 ， 所以 通 常 提到 NMOS， 或者 PMOS 指 的就是 这 两种， 而功 率 MOSFET 主 要 是 N 沟道增强型 。 功 率 MOSFET 的 工 作 原 理 截 止 ： 漏 源 极 间 加 正 电 源 ， 栅 源 极 间 电 压 为 零 。P 基 区 与 N 漂 移 区 之 间 形 成 的 PN结 J1 反 偏 ， 漏 源 极 之 间 无 电 流 流 过 。 导 电 ： 在 栅 源 极 间 加 正 电 压 UGS， 栅 极 是 绝 缘 的 ， 所 以 不 会 有 栅 极 电 流 流 过 。但栅 极 的 正 电 压 会 将 其 下 面 P 区 中 的 空 穴 推 开 ， 而 将 P 区 中 的 少 子 —电 子...
