“微电子器件”课程复习题 一、填空题 1、若某突变 PN 结的 P 型区的掺杂浓度为163A1
5 10 cmN，则室温下该区的平衡多子浓度 pp0 与平衡少子浓度 np0 分别为（ ）和（ ）
2、在 PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（负）电荷，N 区一侧带（正）电荷
内建电场的方向是从（N）区指向（P）区
3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）
4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（短），内建电场的最大值就越（大），内建电势 Vbi 就越（大），反向饱和电流 I0 就越（小），势垒电容 CT 就越（ ），雪崩击穿电压就越（低）
5、硅突变结内建电势 Vbi 可表为（ ），在室温下的典型值为（0
6、当对 PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）
7、当对 PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（变宽），势垒区的势垒高度会（增高）
8、在 P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度 np 与外加电压 V 之间的关系可表示为（ ）
若 P 型区的掺杂浓度173A1
5 10 cmN，外加电压 V = 0
52V，则 P 型区与耗尽区边界上的少子浓度 np 为（ ）
9、当对 PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（高）；当对 PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（低）
10、PN 结的正向电流由（空穴扩散 Jdp）电流、（电子扩散电流 Jdn）电流和（势垒区复合电流 Jr）电流三部分所组成
11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子）；PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（少子）
12、当对 PN 结外加正向
