1 1、若某突变 PN 结的 P 型区的掺杂浓度为163A1.5 10 cmN，则室温下该区的平衡多子浓度 pp0 与平衡少子浓度 np0 分别为（316105.1cmNA）和（314105.1cmNA）。 2、在 PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（负）电荷，N 区一侧带（正）电荷。内建电场的方向是从（N）区指向（P）区。[发生漂移运动，空穴向 P 区，电子向 N 区] 3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（DSEuqdxd）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（大）。 4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（小），内建电场的最大值就越（大），内建电势 Vbi就越（大），反向饱和电流 I0 就越（小）[P20]，势垒电容 CT 就越（ 大 ），雪崩击穿电压就越（小）。 5、硅突变结内建电势 Vbi 可表为（2lniDAbinNNqKTv ）P9，在室温下的典型值为（0.8）伏特。 6、当对 PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）。 7、当对 PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（增大），势垒区的势垒高度会（提高）。 8 、 在 P 型 中 性 区 与 耗 尽 区 的 边 界 上 ， 少 子 浓 度 np 与 外 加 电 压 V 之 间 的 关 系 可 表 示 为（)exp()(0KTqvpppnxn）P18。若 P 型区的掺杂浓度173A1.5 10 cmN，外加电压 V = 0.52V，则 P 型区与耗尽区边界上的少子浓度 np为（3251035.7cm）。 9、当对 PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ 大）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ 小）。 10、PN 结的正向电流由（空穴扩散）电流、（电子扩散）电流和（势垒区复合）电流三部分所组成。 11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子）；PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（少子）。 12、当对 PN 结外加正向电压时，由 N 区注入P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复合）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（e 分之一）。 13、PN 结扩散电流的表达式为（]1)[exp(0KTqvdndpdIJJJ）。这个表达式在正向电压下可简化为（)exp(0KTqvd JJ），在反向电压下可简化为（JJd）。 14、在 PN 结的正向电流中，当电压较低时，以（势垒区复合）电流为主；...
