电脑桌面
添加小米粒文库到电脑桌面
安装后可以在桌面快捷访问

微电子工艺原理和技术复习题

微电子工艺原理和技术复习题_第1页
1/20
微电子工艺原理和技术复习题_第2页
2/20
微电子工艺原理和技术复习题_第3页
3/20
《微电子工艺原理和技术》复习题 一、填空题 1. 半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料Si 、Ge 和化合物晶体材料GaAs 、InP;硅COMS 集成电路衬底单晶的晶向常选(100) ;TTL 集成电路衬底材料的晶向常选(111);常用的硅集成电路介电薄膜是 SiO2、Si3N4;常用的 IC 互连线金属材料是Al、Cu。 2. 画出 P 型(100)、(111)和N 型(100)、(111)单晶抛光硅片的外形判别示意图。 3. 硅微电子器件常用硅片的三个晶向是:(100)、 (111)、 (110)画出它们的晶向图。 4. 热扩散和离子注入是半导体器件的最常用掺杂方法。P、As是 Si 常用的施主杂质;B是 Si 常用的受主杂质;Zn是 GaAs 常用的 P 型掺杂剂;Si是 GaAs 常用的 N 型掺杂剂。 5. 摩尔定律的主要内容是:晶体管特征尺寸每三年减小到约 70%,30 年内有效,也可表示为,集成电路的特征尺寸每三年缩小 30%;集成度每三年翻二翻;集成电路工艺每三年升级一代;逻辑电路的速度每三年提高 30%。 6. 集成电路用单晶硅的主要制备方法是 提拉法和区熔法。 7. 半导体材料的缺陷主要有 点缺陷 、 位错 、 层错 、 孪晶 。 8. 半导体晶体的晶胞具有立方对称性, Si、Ge 、GaAs 晶体为金刚石结构。用密勒指数 h,k,l 表示晶胞晶面的方向。 9. 电子 和 空穴 是半导体的主要载流子,N 型半导体中电子浓度高于空穴浓度,而 P 型半导体中空穴浓度高于电子浓度, 本证半导体中的两种载流子浓度相等。 10. 半导体单晶材料中的电子能级由于价电子的共有化分裂成能带,价带是0 K 条件下被 电子填充的能量最高的能带,导带是0 K 条件下未被电子填充的能量最低的能带 ,导 带底与价带顶之间称禁带。施主能级靠近导带底,受主能级靠近价带顶。 11. 画出N型半导体的能带图。 12. 画出P型半导体的能带图。 13. 半导体的中,被电子占有的几率为1/2 的能级称为费米能级;对本征半导体,费米能 级位于禁带中央,表示电子和空穴数相等。费米能级靠近导带,表示电子数多于空穴 数,是N型半导体;费米能级靠近价带,表示空穴数多于电子数,是P型半导体。 14. 扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与杂质浓度...

1、当您付费下载文档后,您只拥有了使用权限,并不意味着购买了版权,文档只能用于自身使用,不得用于其他商业用途(如 [转卖]进行直接盈利或[编辑后售卖]进行间接盈利)。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。
3、如文档内容存在违规,或者侵犯商业秘密、侵犯著作权等,请点击“违规举报”。

碎片内容

微电子工艺原理和技术复习题

确认删除?
VIP
微信客服
  • 扫码咨询
会员Q群
  • 会员专属群点击这里加入QQ群
客服邮箱
回到顶部