半导体厂商介绍MOSFET 的定义与分类。MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor)在集成电路中叫做绝缘性场效应管。中文名为金属-氧化物-半导体场效应管。MOSFET 分为增强型(N 型和耗尽型(P 型)。MOSFET 的工作原理MOSFET 的工作原理是在 MOSFETG 极上外加电压，金属电极相对于 P 型半导体的情况下，外加正电压，相对于 N 型半导体外加负电压，在氧化膜下会产生空乏层(depletionlayer)，若针对氧化膜下为 P 型半导体的情况，如果再提高电压，就会累积电子，若是 N 型半导体则会累计空穴，我们称此层为“反转层”(reversionlayer)。MOS 型场效应管就是利用这个层，作为一个切换开关。MOSFET 是电压控制器件。肖特基二极管的定义肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的。SBD(SchottkyBarrierDiode)即肖特基势垒二极管。肖特基二极管的工作原理肖特基二极管的工作原理是以贵金属(金、银、铝、铂等)A 为正极，以 N 型半导体 B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为 N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的 B 中向浓度低的 A 中扩散。显然，金属 A 中没有空穴，也就不存在空穴自 A向 B 的扩散运动。随着电子不断从 B 扩散到 A，B 表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为BTA。但在该电场作用之下，A 中的电子也会产生从 ATB 的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。半导体厂商：国外，台湾，国内。国外：AOS：万代半导体公司ST：意法半导体公司FAIRCHILD：仙童半导体公司（飞兆半导体公司）VISHAY:威世集团IR：国际整流器公司APT：美国先进功率技术公司（己被 Microsemi 公司收购）ONSEMI：安森美半导体公司Microsemi:美咼森美公司TI：德州仪器Toshiba：东芝公司IXYS：艾赛斯公司RECTRON：美国伟创电子公司Diodes：美台二极体股份有限公司台湾：WTE:台湾Won-Top 电子公司LITEON：敦南科技股份有限公司（光玉集团旗下）TSC：台湾半导体股份有限公司国内：MCC：中国深圳美微半导体股份有限公司LRC：中国乐山无线电股份有限公司JCST：江苏长电科技有限公司SUOERLTD：广州索尔半导体有限公司FASTSTAR:深圳市快星半导体电子...
