精品文档---下载后可任意编辑1、什么叫本征激发温度越高，本征激发的载流子越多，为什么试定性说明之。解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥Eg）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。假如温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。2、试指出空穴的主要特征。解： 空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的集体运动状态，是准粒子。主要特征如下：A、荷正电：+q；B、空穴浓度表示为 p（电子浓度表示为 n）；C、EP=-EnD、mP*=-mn*。3、试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。 因此，Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数。4、简述 Ge、Si 和 GaAS 的能带结构的主要特征。解：（1）Ge、Si: a）Eg (Si：0K) = ；Eg (Ge：0K) = ； b）间接能隙结构c）禁带宽度 Eg随温度增加而减小； 精品文档---下载后可任意编辑（2）GaAs： a）Eg（300K）= ， Eg (0K) = ；b）直接能隙结构；c）Eg 负温度系数特性： dEg/dT = ×10-4eV/K；5、什么叫浅能级杂质它们电离后有何特点解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。6、什么叫施主什么叫施主电离施主电离前后有何特征试举例说明之，并用能带图表征出 n 型半导体。解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带提供电子，这种杂质就叫施主。 施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主电离。施主电离前不带电，电离后带正电。例如，在 Si 中掺 P，P为Ⅴ族元素，本征半导体 Si 为Ⅳ族元素，P 掺入 Si 中后，P 的最外层电子有四个与 Si 的最外层四个电子配对成为共价电子，而 P 的第五个外层电子将受到热激发挣脱原子实的束缚进入导带成为自由电子。这个过程就是施主电离。n 型半导体的能带图如图所示：其费米能级位于禁带上方7、什么叫受主什么叫受主电离受主电离前后有何特征试举例说明之，精品文档---下载后可任意编辑并用能带图表征出 p 型半导...
