精品文档---下载后可任意编辑1、什么叫本征激发温度越高，本征激发的载流子越多，为什么试定性说明之
解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥Eg）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发
其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对
假如温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中
2、试指出空穴的主要特征
解： 空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的集体运动状态，是准粒子
主要特征如下：A、荷正电：+q；B、空穴浓度表示为 p（电子浓度表示为 n）；C、EP=-EnD、mP*=-mn*
3、试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因
解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带
温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄
反之，温度降低，将导致禁带变宽
因此，Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数
4、简述 Ge、Si 和 GaAS 的能带结构的主要特征
解：（1）Ge、Si: a）Eg (Si：0K) = ；Eg (Ge：0K) = ； b）间接能隙结构c）禁带宽度 Eg随温度增加而减小； 精品文档---下载后可任意编辑（2）GaAs： a）Eg（300K）= ， Eg (0K) = ；b）直接能隙结构；c）Eg 负温度系数特性： dEg/dT = ×10-4eV/K；5、什么叫浅能级杂质它们电离后有何特点解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质
它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴
6、什么叫施主什么叫施主电离施主电离前后有何特征试举例说明之，并用能带图表征出 n 型半导体
解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带
