在最近举办的SPIE 高级光刻技术会议上，尽管EUV 光刻工具的发展现状仍显得不够成熟，但目前唯一一家推出商用EUV 光刻设备的厂商ASML 还是给我们带来了一些下一代EUV 光刻机的新信息，而我们也趁此机会给大家总结一下ASML 已经上市和正在研发阶段的EUV 光刻机的部分性能参数。 IMEC 工作人员正在安装 NXE:3100 如我们以前介绍的那样，ASML 目前上市的试产型 EUV 光刻机型号为 NXE:3100，这款机型号称最高成像能力为 18nm，尽管这款机型在曝光功率和产出量方面还存在一些问题，但ASML 表示他们会进一步优化下一代机型的性能，他们预定于 2012 年推出3100 的后续机型。 我们先来看看他们刚刚推出的试产型 NXE:3100 机型的情况，之所以称为“试产型”，主要是因为这款机型在产出量方面还不能达到芯片制造厂商量产芯片时的产出量要求。 NXE:3100 机型的主要客户和光源系统/产出量指标： 目前已经有两台 NXE:3100 在客户处安装完成，其中首家安装的客户是三星公司，第二家则是比利时的IMEC 研究机构。需要说明的是，目前ASML 公司有两家EUV 光源供应商，其一是Cy mer 公司，他们生产的EUV 光源系统采用的是LPP 激光等离子体光源，这种光源使用高功率激光来加热负载产生等离子体，据 ASML 透露，目前Cy mer 提供的光源系统其持续曝光功率为 11W；另外一种则是Ushio 生产的基于 DPP 放电等离子体技术的光源系统，这种光源利用放电来加热负载(极微小的锡滴)产生等离子体，据 ASML 称 Ushio 正在开发过程中的一套 DPP 光源系统的曝光功率可达 12W。而三星公司安装的那台NXE3100 配用的是Cy mer 的光源系统，IMEC 的那台则采用Ushio 的光源系统。 另外还有一家生产 EUV 光源系统的主要厂商Gigaphoton，据 ASML 公司透露，这家公司制造的EUV LPP 光源系统据称曝光功率可达 20W 左右。 接触孔(contact hole)的形状 据说三星采购这台EUV 光刻机的目的是准备将其用于内存芯片的生产制造，原因是如果使用193nm 液浸光刻+双重成像技术来制造更高密度的内存芯片中的接触孔结构，其制造成本会很高，因此三星正在寻找其它的制造方案。 产出量方面，NXE3100 机型到今年年底可实现 60 片晶圆/小时的产出量，而目前则每小时只能加工出 5 片晶圆。按照 ASML 公司高级产品经理 Christian Wagner 的说法，只有将光源的持续曝光功率提升到 100W 等级，才有望实现 60 片/小时的产出量目标...
