直拉单晶工艺常识

精品文档---下载后可任意编辑直拉单晶工艺常识硅的固态密度：克/㎝，液态密度克/㎝，呈灰色金属光泽，性质较脆，切割时易断裂，比重较小，硬度较大，属于非金属，是极为重要的半导体元素，液态时其表面张力较大，从液态到固态时体积膨胀较多。氧在硅晶体中的分布是不均匀的，一般头部含量高，尾部含量低，晶体中心部位含量高，边缘含量低。碳在晶体中的分布是中心部位低，边缘部位高。电阻率：单位面积材料对于两平行平面垂直通过电流的阻力，晶向：一簇晶列的取向。母合金：生产上常常将掺杂纯元素“稀释”成硅熔体叫做母合金。偏度：晶体自然中轴线与晶向之间的夹角度数。空穴：半导体价带结构中一种流动的空位，其作用就像一具具有正效质量的正电子荷一样。迁移率：载流子在单位电场强度作用下的平均漂移速度。载流子：固体中一种能传输电荷的载体，又称电载流。少数载流子寿命：在光电作用下，非平衡少数载流子由产生到复合存在的平均时间。杂质分凝：在结晶过程中，由于杂质偏析，出现杂质分配现象叫杂质分凝。精品文档---下载后可任意编辑扩散：物质内部热运动导致原子或分子迁移的过程。热对流：液体或气体流过固体表面时，由于固体对液体或气体分子有吸附与摩擦作用，于是从固态表面带发挥或给于固体以热，这种传递热的方式叫热对流。热应力：是压缩力，也可以叫拉伸力，要看液体中心部位对边缘部分的相对收缩或膨胀而定，大小取决于晶体的温场分布。温度梯度：只温度在某方向的变化率用 DT/DR 表示，指某点的温度 T 在 R 方向的变化率，在一定距离内某方向的温度相差越大，单位距离内温度变化越大，温度梯度也越大，反之越小。 对石英坩埚的质量要求：1.外观检查：无损伤，无裂纹，无明显划痕，无气泡，无杂质点，100%透明；2.耐高温：在 1600℃下经16 小时后不变形，不失透，经 1500℃硅液作用下无白点；3.纯度：%%，其中硼含量小于 10ppm；4.直径公差±；5.高度公差±1mm。对高纯石墨的要求：纯度高，强度大，结构致密均匀，无孔洞，无裂纹，耐磨。装料结束加热前应检查的项目：水路是否畅通，电气是否正常，机械震动是否正常，取光口是否对好。跳硅的含义及如何避开跳硅跳硅是指熔硅过程中熔硅在坩埚中沸腾并出现飞溅出来的现象；避开跳硅 1.仔细选择石英坩埚和多晶硅；2.熔硅时温度不能过高；3.流动气氛下熔硅；4.挂边和搭桥时要及时降温；5.增大氩气，降低温度，提高埚位。精品文档---下载后可任意编辑拉晶过程中，埚转...