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电力电子技术学习指导

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第一章电力电子器件 重点和难点: 一、电力二极管特性 静态特性主要是指其伏安特性,而动态特性是由于结电容的存在,电力二极管在零偏置、正向偏置和反向偏置者三种状态之间转换的时候,必然要要经历一个过渡过程,在这些过渡过程中,PN结的一些区域是需要一定的时间来调整其带电的状态,因而其电压-电流特性不能用通常所说的伏安特性来描述,而是随时间变化的;电力二极管的正向平均电流是指其长期运行时,在指定的管壳温度和散热条件下其允许流过的最大公频正旋半波电流的平均值;电力二极管的正向压降是指在指定的温度下,流过某一指定的稳定正向电流时对应的正向压降。 二、晶闸管的工作原理 参见教材 P16,当对晶闸管施以正向电压且门极有电流注入则导通,当对其施以反相电压时晶闸管截止,而把正向电压改为反向电压或使的流过晶闸管的电流降低到接近与零的某一个数值时晶闸管关断。 三、MOSFET、IGBT的工作原理 1、电力 MOSFET的工作原理 (1)截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的 PN结 J1反偏,漏源 极之间无电流流过。 (2)导电:在栅源极间加正电压 UGS,当 UGS大于 UT时,P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结 J1消失,漏极和源极导电 。 2、IGBT的结构和工作原理 (1)三端器件:栅极 G、集电极 C和发射极 E (2)驱动原理与电力 MOSFET基本相同,场控器件,通断由栅射极电压 uGE决定。导通:uGE大于开启电压 U=GE(th)时,MOSFET内形成沟道,为晶体管提供基极电流,IGBT导通。通态压降:电导调制 效应使电阻RN减小,使通态压降减小。关断:栅射极间施加反压或不加信号时,MOSFET内的沟道消失,晶体管的基极电流被切断,IGBT关断。 四、电力二极管工作原理 电力二极管工作原理与信息电子电路中的二极管的工作原理时一样的,都是以半导体PN结为基础的,电力二极管实际上是由一个面积较大的 PN结和两端引线以及封装组成的。 例题一、如何用万用表判别普通晶闸管的极性?如何用万用表判别双向晶闸管的极性? 答:1、选用 R ×100 档,当黑笔接某一电极,红笔依次碰触另外两个电极,若有一次阻值很小,另一次阻值很大,则黑笔接的是门极,在阻值小时红笔接的是阴极,在阻值大时红笔接的是阳极。 2a、根据T2 与G 相距较近,正反向电阻仅为几十,而T1-T2、T1-G 为∞,选用R×10 档判断 T1; 2b、假设 T2、G,用Ⅰ+、Ⅲ-方式判别、验...

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