电子技术复习题 一、填空 1.二极管最主要的特性是 单向导电性
当电源电压升高时,电抗原件将能量存储起来,而当电源电压降低时,又将能量释放出来,从而使输出电压比较平滑,这就是滤波 3
双极性晶体管按结构可分为 NPN型和 PNP型
晶体管是有三个电极的电流放大器,任选其中一个电极为公共电极时,可组成三种不同的四端网络,分别成为共基极、共发射极、共集电极
5.构成放大电路的条件有两个:一是发射结正偏,集电结反偏;二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路
6、当温度升高时,会引起放大电路的静态工作点向上偏移,造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点
8.半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动
9.硅二极管的正向导通压降约为 0
7 V 10.二极管的反向电压在一定范围时,电流基本上是 恒定(或不变) 的
11.稳压管工作在 反向击穿 区
12.NPN型硅三极管的发射结电压 UBE约这 0
13.PNP型锗三极管的发射结电压 UBE约为 -0
14.非线性失真包括截止失真和 饱和 失真
15.为不产生非线性失真,放大电路的静态工作点 Q大致选在交流负载线的 中点 ,输入信号的幅值不能太大
16.在外部因素(如温度变化、三极管老化、电源电压波动等)的影响下,会引起放大电路 静态工作点 的偏移
17.外部因素中,对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化
18.三极管级间耦合的方式主要有:阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合
19.三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性
20.三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性
21.三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性
22.场效应管是一种 电压