电子技术试题库 第一部份 模拟电子 常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“³”表示判断结果填入空内。 （1）在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。（ ） （2）因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 RGS大的特点。（ ） （6）若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）UGS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 （5）在本征半导体中加入 元素可形成 N 型半导体，加入 元素可形成 P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （7）工作在放大区的某三极管，如果当 IB从 12μ A 增大到 22μ A 时，IC从 1m A 变为 2m A，那么它的β 约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 （8）当场效应管的漏极直流电流 ID 从 2m A 变为 4m A 时，它的低频跨导gm 将 。 A.增大 B.不变 C.减小 三、写出图 T1.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 UD＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4所示电路中UO1 和UO2 各为多少伏。 图T1.4 五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5 所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。 图T1.5 六、电路如图T1.6 所示，VCC＝15V，β ＝100，UBE＝0.7V。试问： （1）Rb＝50kΩ 时，uO＝？ （2）若T 临界饱和，则Rb≈？ 图T1.6 七．测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表T1.7 所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入...
